图所示半桥式变换器中，变压器的一次侧在整个周期中都流过电流，磁心得到充分利用，对功率开关管的耐压要求较低，决不会超越线路峰值电压。与推挽式电路比较，若输出相同的功率，则开关晶体管有必要流过2倍的电流。
在半桥式变换器电路中，因为变压器的电压已削减到UI/2，为了取得相同的功率，晶体管的作业电流将加倍。假定变换器的功率η=0.8，最大占空比Dmax=0.8，则晶体管的作业电流为:半桥式变换器的另一个长处是:它能够主动校对变压器磁心偏磁,防止变压器磁心饱满。
图 半桥式变换器电路
在规划开关电源时，还应考虑的是运用双极型晶体管仍是MOSFET管，这两种晶体管各有优缺陷。二者比较较，双极型晶体管价格较低，而MOSFET管因为驱动电路简略，所以整个电路规划也比较简略。
双极型晶体管有一个缺陷，便是作业截止频率较低，一般在几十kHz左右，而MOSFET管的开关作业频率可达几百kHz。开关电源作业频率高就意味着规划出来的开关电源体积较小。进步开关电源的作业频率，这是当时开关电源规划的一个趋势。
