单电子晶体管
用一个或许少数电子就能记载信号的晶体管。跟着半导体刻蚀技能和工艺的开展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年添加四倍的速度开展，估计单电子晶体管将是终究的方针。现在一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少数电子，因而它将大大下降功耗，进步集成电路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在试验上发现了库仑堵塞现象。在调制掺杂异质结界面构成的二维电子气上面，制作一个面积很小的金属电极，使得在二维电子气中构成一个量子点，它只能包容少数的电子，也便是它的电容很小，小于一个？F (10-15法拉)。当外加电压时，假如电压改变引起量子点中电荷改变量不到一个电子的电荷，则将没有电流经过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的改变时，才有电流经过。因而电流-电压联系不是一般的直线联系，而是台阶形的。这个试验在历史上第一次完成了用人工操控一个电子的运动，为制作单电子晶体管供给了试验根据。为了进步单电子晶体管的作业温度，有必要使量子点的尺度小于10纳米，现在国际各试验室都在想各种方法处理这个问题。有些试验室声称已制出室温下作业的单电子晶体管，观察到由电子输运构成的台阶型电流-电压曲线，但离有用还有适当的间隔。
