半导体光敏元件基础知识
根据半导体光电效应的光电转化传感器，又称光电灵敏器。采用光、电技能能完成无触摸、远距离、快速和准确丈量，因而半导体光敏元件还常用来间接丈量能转化成光量的其他物理或化学量。半导体光敏元件按光电效应的不同而分为光导型和光生伏打型（见光电式传感器）。光导型即光敏电阻，是一种半导体均质结构。光生伏打型包含光电二极管、光电三极管、光电池、光电场效应管和光控可控硅等，它们归于半导体结构型器材。半导体光敏元件的主要参数和特性有灵敏度、勘探率、光照率、光照特性、伏安特性、光谱特性、时刻和频率呼应特性以及温度特性等，它们主要由资料、结构和工艺决议。半导体光敏元件广泛应用于精细丈量、光通信、计算技能、摄像、夜视、遥感、制导、机器人、质量检查、安全报警以及其他丈量和操控设备中。
光敏电阻 又称光导管。它是使用光照时半导体满带的电子飞越禁带而改动导电率的原理制成的。其电阻值随光照强度改变可达107倍。经不同工艺掺杂的硫化镉光敏电阻的光谱呼应峰值在520至620纳米间。经过工艺操控和加滤光片校对能得到近似人的视感的呼应曲线。因而它被广泛用于摄像技能中。用硫化镉、硒化镉混合制成的光敏电阻，经过调整份额和杂质能取得520～720纳米的光谱呼应，并能进步灵敏度。硫化铝、锑化铟、锗（掺金）等资料的光敏电阻适于红外勘探，可用于遥感技能。
光敏二极管 它是可见光和红外光的重要勘探器，又称光电二极管。其作业原理是，当光照下光子能量超越禁带能量时,在PN结及其邻近激起发生电子空穴对,它们被结电场别离，别离向N区和P区移动，然后发生光生伏打电压，使用这种效应就可以丈量光照强度。光敏二极管的呼应时刻远比光敏电阻快,一般都小于1微秒。浅PN结硅二极管和砷化镓二极管的呼应曲线近似人的视感呼应曲线，可用于摄像技能。
光敏三极管 又称光电三极管。它把集基结的光生伏打效应和三极管的电流扩大特性结合起来，可以取得优于光敏二极管的灵敏度，但暗电流增大，温度特性和线性度较差。为了改进这些缺乏，常在一片硅片上别离制成光敏二极管和三极管或复合管。
