在当今的高性能的电源体系规划中，保证可靠性至关重要，因而高效的功用有必要可以处理潜在的问题。同步整流电流反向便是这样一个问题。这产生在电容电流(寄生效应引起的)导致MOSFET在轻负载的状况下被过早激活时– 然后反向电流从输出电容流回同步整流器。这不只导致体系能效遭到严重影响，还可能会导致运转毛病。
为了防止这种状况的产生，有必要在体系处于轻载条件时采纳办法添加推迟。自适应死区时刻操控机制可以补偿寄生电感的存在，然后减轻体二极管导通的不良影响。经过这种办法，可以调整同步整流器关断点，以坚持一个安稳的死区时刻，而不受其时输出负载的影响。然后继续坚持高能效和对相应的热办理规则更少的要求(因为散热的削减)。
得益于专有的自适应死区时刻操控算法，安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器操控器IC，可以充沛处理上述应战。一起，它可以协助工程师最大化电源能效，并使体系尽可能紧凑、简略和具性价比。
该器材优化用于现代LLC谐振转换器拓扑结构，最大极限地削减同步整流MOSFET的体二极管传导。它经过运用一个共同的操控办法，消除了电流反向的危险，还可以防止同步整流误触发。经过两个感测输入，可以精确地确认MOSFET两头的漏源电压，然后考虑到关于次级绕组的任何不对称或不良耦合。假如经证明死区时刻太长，那么偏置电压相应下降。然后进步MOSFET的电压阈值，继而使同步整流器的导通时刻延伸(因而缩短相关的死区时刻)。反之，假如死区时刻太短，则下降MOSFET的电压阈值，然后按捺同步整流器的导通期。指定FAN6248操控器可以进步体系的电源能效，和实现在整个负载范围内的安稳运转(无电流反向的危险)。
