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了解线性稳压器及其首要性能参数

低压差稳压器(通常称为LDO)广泛用于许多行业的各类电子应用。一般认为,LDO是调节和控制由较高输入电压电源提供的输出电压的一种简单而便宜的方法。但

低压差稳压器(一般称为LDO)广泛用于许多职业的各类电子运用。一般以为,LDO是调理和操控由较高输入电压电源供给的输出电压的一种简略而廉价的办法。可是,本钱和简略性并非其得到广泛运用的仅有原因。事实上,现在的体系跟着每种新规划的呈现而变得越来越杂乱、对噪声的反响愈加活络而且愈加耗电。各种功率水平的开关电源的广泛运用,意味着规划工程师有必要花更多时刻考虑怎么防止噪声耦合和搅扰,一起还要进步体系功率,所以本钱和简略性不是仅有的推进要素。

对大多数运用而言,产品数据表的基本参数的标准了解易懂。惋惜的是,产品数据表并不会列出针对每种或许的电路条件的参数。因而,若要发挥LDO的最大优势,就有必要了解首要功用参数及其对既定负载的影响。规划工程师需求经过紧密剖析周围电路条件,来确认LDO是否合适特定负载。

本文剖析了LDO的首要功用参数,以及它们关于向电子体系中的各种器材供给洁净的输出电压的影响,别的还将评论规划工程师在优化体系时(特别是在电流水平较高时)有必要考虑的要素。

怎么在运用中运用LDO

在大多数运用中,LDO首要用于将活络的负载与有噪声的电源相阻隔。与开关稳压器不同,线性稳压器会在通路晶体管或MOSFET(用来调理和坚持输出电压来到达所需的精度)中形成功率耗散。因而,就功率而言,LDO的功率耗散会是一个明显下风,并或许导致热问题。所以,规划工程师需求经过尽或许下降LDO功率耗散,来提高体系功率和防止热杂乱性,这一点很重要。

LDO是用于电压调理的最老和最常用器材;可是,其许多首要功用参数并未得到人们的充沛了解或至少未被最大极限地加以运用。虽然本钱是一项十分重要的要素,但推进LDO运用的首要要素是体系的功率要求和受电负载可接受的噪声水平。LDO还可用于降噪,以及修正由电磁搅扰(EMI)和印刷电路板(PCB)布线形成的问题。

关于电流耗费十分低的负载,LDO的功率耗散十分小,所以因为其简略、本钱低和易用性而成为必定之选。可是,关于电流耗费大于500mA的负载,其他要素变得更重要,有时乃至很要害。在这类运用中,体系工程师应当对那些在较高电流水平条件下重要性会提高的功用参数多加考虑,如压差、负载调理和瞬态功用。

LDO是线性稳压器的一种,所以人们常常拿它与传统线性稳压器比较,特别是在本钱方面。很重要的一点是要了解通路元件是LDO的中心,且该中心及其周围电路对LDO的功用具有决定性影响。

LDO内部

LDO包含三个基本功用元件:一个参阅电压、一个通路元件和一个差错信号放大器,如图1所示。正常作业期间,通路元件充任电压操控器电流源。通路元件由来自差错信号放大器的补偿操控信号驱动,差错信号放大器可感测输出电压并将其与参阅电压进行比较。所有这些功用块都会影响LDO的功用。LDO生产商的产品数据表一直包含相应标准,用以阐明这些功用元件的功用。

图1:LDO框图

从图2能够看出,LDO稳压器规划中一般有四种不同的通路元件:根据NPN型晶体管的稳压器、根据PNP型晶体管的稳压器、N通道根据MOSFET的稳压器和P通道根据MOSFET的稳压器。

图2:LDO稳压器中运用的四种不同的晶体管

一般,根据晶体管的稳压器比根据MOSFET的稳压器具有更高的压差。别的,根据晶体管的稳压器的晶体管通路元件的基极驱动电流与输出电流成份额。这会直接影响根据晶体管的稳压器的静态电流。比较之下,MOSFET通路元件运用阻隔栅极驱动的电压,使其静态电流明显低于根据晶体管的稳压器。

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