最近对各种单片机疯狂，近期在看AVR单片机，发现单片机内除了FALSH，和SRAM还有片内EEPROM这个东西没有遇到过啊，如同没有用啊，一般感觉都是外接IIC的EEPROM的来进行数据的保存。
查了下总结下：
flash是用来放程序的，能够称之为程序存储器，能够擦出写入可是底子都是整个扇区进行的.
一般来说 单片机里的flash都用于寄存运转代码，在运转过程中不能改；
一般来说 单片机里的flash都用于寄存运转代码，在运转过程中不能改；
EEPROM是用来保存用户数据，运转过程中能够改动，比方一个时钟的闹铃时刻初始化设定为12：00，后来在运转中改为6：00，这是保存在EEPROM里，不怕掉电，就算从头上电也不需求从头调整到6：00
下面是网上具体的说法，感觉不错：
FLASH 和EEPROM的最大差异是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址办法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简略，相同容量占芯片面积较小，本钱天然比EEPROM低，因此合适用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM费事的多，所以更“人性化”的MCU规划会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型规划往往只要 FLASH，前期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已底子上停产了。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不只电路不同，地址空间也不同，操作办法和指令天然也不同，不管冯诺伊曼结构仍是哈佛结构都是这样。技能上，程序存储器和非易失数据存储器都能够只用FALSH结构或EEPROM结构，乃至能够用“变通”的技能手段在程序存储区模仿“数据存储区”，但就算如此，概念上二者仍然不同，这是底子常识问题。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的界说，属EEPROM无疑，首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM，现在的大都Flash手册上也是这么标明的，二者的联系是“白马”和“马”。至于为什么业界要差异二者，首要的原因是 Flash EEPROM的操作办法和传统EEPROM天壤之别，非必须的原因是为了言语的简练，非正式文件和白话中Flash EEPROM就简称为Flash，这儿要着重的是白马的“白”特点而非其“马”特点以差异Flash和传统EEPROM。
Flash的特点是结构简略，相同工艺和相同晶元面积下能够得到更高容量且大数据量下的操作速度更快，但缺陷是操作过程费事，特别是在小数据量重复重写时，所以在MCU中Flash结构适于不需频频改写的程序存储器。
许多使用中，需求频频的改写某些小量数据且需掉电非易失，传统结构的EEPROM在此十分合适，所以许多MCU内部规划了两种EEPROM结构，FLASH的和传统的以期获得本钱和功用的均衡，这极大的方便了使用者。跟着ISP、IAP的盛行，特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间堆叠的MCU系中，现在越来越多的MCU出产商用支撑IAP的程序存储器来模仿EEPROM对应的数据存储器，这是低本钱下完成非易失数据存储器的一种变通办法。为在商业宣传上获得和双EEPROM工艺的“等效”性，不少选用Flash程序存储器“模仿”（留意，技能概念上并非真实的模仿）EEPROM数据存储器的厂家纷繁声称其产品是带EEPROM的，严厉说，这是十分不谨慎的，但商人有商人的意图和办法，用Flash“模仿”EEPROM能够获取更大商业利益，所以在事实上，技能概念混杂的始作俑者正是他们。
从本钱上讲，用Flash“模仿”EEPROM是合算的，反之不会有人干，用EEPROM模仿Flash是怎么回事呢？这或许出在某些程序存储空间和数据存储空间接连的MCU上。这类MCU中特别是存储容量不大的低端MCU仍然选用EEPROM作为非易失存储器，这在本钱上反而比选用Flash和传统EEPROM双工艺的规划更低，但这种现象仅仅限于小容量条件下。因Flash工艺的盛行，现在许多商人和不行谨慎的技能人员将程序存储器称为Flash，关于那些仅选用传统EEPROM工艺的MCU而言，他们囫囵吞枣，故而过错的将EEPROM程序存储器称为“ 模仿Flash”，底子的原因是他们未了解Flash仅仅一种存储器结构而非存储器的用处，过错的条件天然导致过错的定论。商业上讲，用EEPROM模仿 Flash是不会有人真去做的愚笨行为，这违反商业寻求最大利益的准则，技能上也不可行，而关于技能人员而言。实质的问题是Flash是一种存储器类型而非MCU中的程序存储器，即便MCU的程序存储器用的是Flash，但其逆命题不成立。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不只电路不同，地址空间也不同，操作办法和指令天然也不同，不管冯诺伊曼结构仍是哈佛结构都是这样。技能上，程序存储器和非易失数据存储器都能够只用FALSH结构或EEPROM结构，乃至能够用“变通”的技能手段在程序存储区模仿“数据存储区”，但就算如此，概念上二者仍然不同，这是底子常识问题。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的界说，属EEPROM无疑，首款Flash推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM，现在的大都Flash手册上也是这么标明的，二者的联系是“白马”和“马”。至于为什么业界要差异二者，首要的原因是 Flash EEPROM的操作办法和传统EEPROM天壤之别，非必须的原因是为了言语的简练，非正式文件和白话中Flash EEPROM就简称为Flash，这儿要着重的是白马的“白”特点而非其“马”特点以差异Flash和传统EEPROM。
Flash的特点是结构简略，相同工艺和相同晶元面积下能够得到更高容量且大数据量下的操作速度更快，但缺陷是操作过程费事，特别是在小数据量重复重写时，所以在MCU中Flash结构适于不需频频改写的程序存储器。
许多使用中，需求频频的改写某些小量数据且需掉电非易失，传统结构的EEPROM在此十分合适，所以许多MCU内部规划了两种EEPROM结构，FLASH的和传统的以期获得本钱和功用的均衡，这极大的方便了使用者。跟着ISP、IAP的盛行，特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间堆叠的MCU系中，现在越来越多的MCU出产商用支撑IAP的程序存储器来模仿EEPROM对应的数据存储器，这是低本钱下完成非易失数据存储器的一种变通办法。为在商业宣传上获得和双EEPROM工艺的“等效”性，不少选用Flash程序存储器“模仿”（留意，技能概念上并非真实的模仿）EEPROM数据存储器的厂家纷繁声称其产品是带EEPROM的，严厉说，这是十分不谨慎的，但商人有商人的意图和办法，用Flash“模仿”EEPROM能够获取更大商业利益，所以在事实上，技能概念混杂的始作俑者正是他们。
从本钱上讲，用Flash“模仿”EEPROM是合算的，反之不会有人干，用EEPROM模仿Flash是怎么回事呢？这或许出在某些程序存储空间和数据存储空间接连的MCU上。这类MCU中特别是存储容量不大的低端MCU仍然选用EEPROM作为非易失存储器，这在本钱上反而比选用Flash和传统EEPROM双工艺的规划更低，但这种现象仅仅限于小容量条件下。因Flash工艺的盛行，现在许多商人和不行谨慎的技能人员将程序存储器称为Flash，关于那些仅选用传统EEPROM工艺的MCU而言，他们囫囵吞枣，故而过错的将EEPROM程序存储器称为“ 模仿Flash”，底子的原因是他们未了解Flash仅仅一种存储器结构而非存储器的用处，过错的条件天然导致过错的定论。商业上讲，用EEPROM模仿 Flash是不会有人真去做的愚笨行为，这违反商业寻求最大利益的准则，技能上也不可行，而关于技能人员而言。实质的问题是Flash是一种存储器类型而非MCU中的程序存储器，即便MCU的程序存储器用的是Flash，但其逆命题不成立。
