半导体特色有哪些？

半导体特色有哪些？
　　半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。
　　★在构成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电功能具有可控性。
　　★在光照和热辐射条件下，其导电性有显着的改变。
　　晶格：晶体中的原子在空间构成摆放规整的点阵，称为晶格。
　　共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不光各自环绕本身所属的原子核运动，而且呈现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。
　　自由电子的构成：在常温下，少量的价电子因为热运动取得满足的能量，挣脱共价键的捆绑变成为自由电子。
　　空穴：价电子挣脱共价键的捆绑变成为自由电子而留下一个空方位称空穴。
　　电子电流：在外加电场的效果下，自由电子发生定向移动，构成电子电流。
　　空穴电流：价电子按必定的方向顺次添补空穴（即空穴也发生定向移动），构成空穴电流。
　　本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。
　　载流子：运载电荷的粒子称为载流子。
　　导体电的特色：导体导电只要一种载流子，即自由电子导电。
　　本征半导体电的特色：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参加导电。
　　本征激起：半导体在热激起下发生自由电子和空穴的现象称为本征激起。
　　复合：自由电子在运动的进程中如果与空穴相遇就会添补空穴，使两者一起消失，这种现象称为复合。
　　动态平衡：在必定的温度下，本征激起所发生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目持平，到达动态平衡。
　　载流子的浓度与温度的联系：温度必定，本征半导体中载流子的浓度是必定的，而且自由电子与空穴的浓度持平。当温度升高时，热运动加重，挣脱共价键捆绑的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电功能增强；当温度下降，则载流子的浓度下降，导电功能变差。
　　定论：本征半导体的导电功能与温度有关。半导体资料功能对温度的敏感性，可制造热敏和光敏器材，又构成半导体器材温度稳定性差的原因。
　　杂质半导体：经过分散工艺，在本征半导体中掺入少量适宜的杂质元素，可得到杂质半导体。
　　N型半导体：在纯洁的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之替代晶格中硅原子的方位，就构成了N型半导体。
　　大都载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为大都载流子，简称多子。
　　少量载流子：N型半导体中，空穴为少量载流子，简称少子。
　　施子原子：杂质原子能够供给电子，称施子原子。
　　N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电功能也就越强。
　　P型半导体：在纯洁的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之替代晶格中硅原子的方位，构成P型半导体。
　　多子：P型半导体中，多子为空穴。
　　少子：P型半导体中，少子为电子。
　　受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。
　　P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电功能也就越强。
　　定论：
　　多子的浓度决定于杂质浓度。
　　少子的浓度决定于温度。
　　PN结的构成：将P型半导体与N型半导体制造在同一块硅片上，在它们的交界面就构成PN结。
　　PN结的特色：具有单向导电性。
　　分散运动：物质总是从浓度高的当地向浓度低的当地运动，这种因为浓度差而发生的运动称为分散运动。
　　空间电荷区：分散到P区的自由电子与空穴复合，而分散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面邻近多子的浓度下降，P区呈现负离子区，N区呈现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。
　　电场构成：空间电荷区构成内电场。
　　空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻挠分散运动的进行。
　　漂移运动：在电场力效果下，载流子的运动称漂移运动。
　　PN结的构成进程：如图所示，将P型半导体与N型半导体制造在同一块硅片上，在无外电场和其它激起效果下，参加分散运动的多子数目等于参加漂移运动的少子数目，然后到达动态平衡，构成PN结。
　　PN结的构成进程
　　电位差：空间电荷区具有必定的宽度，构成电位差Uho，电流为零。
　　耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都十分少，在剖析PN结经常疏忽载流子的效果，而只考虑离子区的电荷，称耗尽层。
　　PN结的单向导电性