P沟MOS晶体管
P沟MOS晶体管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，别离叫做源极和漏极，南北极之间不通导，柵极上加有满意的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅外表呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。改动栅压能够改动沟道中的电子密度，然后改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上恰当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几许尺度和作业电压绝对值持平的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的作业电压。它的供电电源的电压巨细和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电进程长，加之器材跨导小，所以作业速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)呈现之后，大都已为NMOS电路所替代。仅仅,因PMOS电路工艺简略,价格便宜，有些中规划和小规划数字控制电路仍选用PMOS电路技能。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内使用的器材。PMOS集成电路选用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路选用两种电源供电。选用直接接口方法，一般CMOS的电源电压挑选在10～12V就能满意PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，简单制成规划大的集成电路。
各种场效应管特性比较
