1）区域熔炼法
以高纯多晶硅为质料，制成棒状，并将多晶硅棒笔直固定，在多晶硅棒的下端放置具有必定晶相的单晶硅，作为单晶成长的的籽晶，其晶相一般为<111>或<100>，然后在真空或惰性气体下，使用高频感应线圈加热多晶棒，使多晶硅棒部分区域构成熔区，并依托熔区的表面张力坚持多晶硅棒的平衡和晶体成长的顺利进行。晶体成长首先从多晶硅棒和籽晶的结合处开端，多晶硅棒和籽晶以必定的速度做相反方向的运动，熔区从下端沿着多晶硅棒缓慢向上端移动，使多晶硅逐渐转变为单晶硅。
2）直拉法
直拉单晶硅生产工艺流程图
