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单晶硅的制备

本站为您提供的单晶硅的制备,1)区域熔炼法          以高纯多晶硅为原料,制成棒状,并将多晶硅棒垂直固定,在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的单晶硅

1)区域熔炼法
          以高纯多晶硅为质料,制成棒状,并将多晶硅棒笔直固定,在多晶硅棒的下端放置具有必定晶相的单晶硅,作为单晶成长的的籽晶,其晶相一般为<111>或<100>,然后在真空或惰性气体下,使用高频感应线圈加热多晶棒,使多晶硅棒部分区域构成熔区,并依托熔区的表面张力坚持多晶硅棒的平衡和晶体成长的顺利进行。晶体成长首先从多晶硅棒和籽晶的结合处开端,多晶硅棒和籽晶以必定的速度做相反方向的运动,熔区从下端沿着多晶硅棒缓慢向上端移动,使多晶硅逐渐转变为单晶硅。


2)直拉法


直拉单晶硅生产工艺流程图

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