为便携式产品的电池充电有几种方法。以手机为例，咱们能够运用墙式适配器或许其它充电设备充电，这种方法供给的电流能够到达2A，墙式适配器发生的高压有或许到达30V；也能够经过USB线来进行充电，它能够供给500mA的充电电流，可是USB线上的高压也有或许到达20V；一起，咱们也能够经过手机对附件进行供电，比方调频收发器等外部附件。加强充电、供电维护，使电池的安全性更高、可用时刻更长、可用电压更宽、充电时刻更短、生命周期更长，是移动设备开展的一个趋势。
直流充电通道的维护（从墙式适配器到电池）
图 1是一个典型的充电电路示意图，该充电电路首要有以下几个问题：关于直接充电来讲，充电得不到维护；关于反向放电来讲，没有优化压降，一起也没有操控反向的放电电流。这些问题都会极大地影响体系的安全性、电池的可用时刻以及电池的充电时刻，与电池充电商场的开展趋势各走各路，所以有必要从头规划体系的维护计划。
图1 典型的充电电路示意图
咱们知道体系的维护只是依托充电器自身是不行的，需求添加额定的想象维护计划（Box）。相应的维护计划有两种：第一种是将想象维护计划集成在充电器IC里，第二种是选用独立的外部器材来进行维护，现在的大趋势是选用独立的外部器材。
针对对直接充电，想象维护计划首要应该处理浪涌电流效应的问题，其次应该处理正向和反向的过压维护，这两个维护功用是有必要要有的。此外，还包含直接充电的过流维护以及电池电压的监测，这两项维护功用是可选的。
浪涌电流效应。因为寄生电感和输入%&&&&&%的影响，充电器在热刺进时或许发生高压的振铃，危害%&&&&&%，此刻咱们需求操控维护计划内部的MOSFET，使体系内部的电流和电压不超越额定值。
正向和负向过压维护。因为AC-DC的瞬态、适配器毛病或过错，维护计划的输出不能超越便携体系的最大额定电压，所以要维护源自墙式适配器的过压保证，需求具有+28V的正向过压维护以及-28V的反向过压维护。只要在过压比较器的输入比体系的最大额定电压低的时分，维护器材才干坚持导通情况。
直接充电通道的过流维护。假如直接充电通道呈现过流的话，或许会损坏体系。可是过流维护特性应该为可选的，首要是因为：首要，充电电路内的充电电阻会检测充电电流，而且由充电IC来操控该充电电流；其次，AC/DC转换器的输出才干是有限的，假如呈现过流，AC/DC转换器的电压会急剧的下跌。
电池电压监测。到现在为止，锂离子电池的最大电压为4.35V，在电池组中集成了电压监测功用，某些运用乃至集成了两个电池包的维护计划，而且充电电路也会监测电池电压，因而电池电压监测能够添加到想象的维护计划傍边。但因为在体系中已经有多处供给了这种维护功用，因而该功用应该是可选的。
综上所述，想象维护计划（Box）有必要具有下列特性：
1. 过压确定才干。只要在总线电压低于体系的最大额定电压的时分，维护器材才应该是导通的。假如呈现过压，维护器材应该处于断开情况以维护内部的体系。
2. 具有抗过压才干。选用墙式适配器充电的时分为+28V，运用USB充电的时分为+20V。
3. 具有电流经过才干。运用墙式适配器充电的时分，电流或许到达1A乃至2A；在运用USB充电时，最大电流为500mA，
4. 能够对浪涌电流进行操控。
5. 维护器材与充电%&&&&&%应该彼此独立。
假如具有了以上特性，直接充电通道将会得到杰出的维护。
反向供电通道（从电池到附件）
关于反向供电通道来讲，想象的处理计划（Box）有必要处理以下几个问题：电池放电、反向过流、反向浪涌电流、短路维护，并尽量下降反向电路的电压电路。
电池放电。当输入电压低于电池电压时，应该避免电池放电，因为此刻附件或许是没有刺进的。这时应该选用背对背的处理计划，在Vin小于Vbat的时分，避免电池漏电。只要在检测到附件时，才支撑反向供电。
图2 主张处理计划
反向过流维护功用。当衔接过错的附件或有缺点的附件的时分，电池依然有或许放电到附件，而且反向放电的电流或许超越充电通道的电流经过才干。因为充电器无法检测到反向电流，因而需求添加别的的模块来检测反向电流。
反向浪涌电流按捺。刺进附件的时分，假如没有电流维护计划，或许从电池流出极高的浪涌电流，而且或许发生过高的振铃，然后危害器材，所以有必要选用电流监测功用来操控反向MOSFET的门极，然后消除振铃和浪涌电流。
短路维护。假如附件呈现直接短路，或许会瞬时出现源自电池的极高电流，所以维护器材应该供给过流维护，而且能够经过外部电阻对电流进行设置以习惯不同的体系要求。别的，维护器材应该具有主动康复功用，即当外部短路情况消除之后，体系会主动地康复作业。
从电池到外部附件的电压电路。有必要下降电池和附件之间的损耗，假如电压电路过高的话，会发生额定的损耗，影响到电池的可用电压。
综上所述，想象的维护计划（Box）应该具有以下的特性：
1. 关于电池放电来讲，应该选用背对背的结构，避免电池漏电。
2. 应该具有反向过流维护功用。
3. 应该对反向浪涌电流进行操控。
4. 应该对反向供电通道的短路进行维护。
5. 导通电阻应该尽或许的低，即便通道的电压下跌尽或许的低，削减额定的损耗。
只要具有了以上特性，反向通道才干得到杰出的维护。
因而，咱们主张的处理计划的架构是：具有背对背的N-MOSFET、具有正向和反向的过压维护以及反向过流维护功用、具有极低的静态电流等功用。（图2）
集成处理计划的细节
图3所示为集成处理计划的细节框图，因为选用的是背对背的N-MOS结构，经过第一个N-MOS（标识1）的门极，能够避免浪涌电流进入体系内部，一起这个N-MOS也供给正向的过压维护。
图3 集成处理计划
图4 安森美OVP产品系列
背对背N-MOS结构的另一个N-MOS（标识2）供给-28V的过压维护。之前选用的一般是P-MOS，但相关于P-MOS，N-MOS的导通电阻更低，使电池能够作业在更低电压下。一起N-MOS支撑更大的电流，而且这个N-MOS还经过检测电流来操控反向通道的浪涌电流，供给反向过流维护。
此外，计划还应供给过流维护（标识3），而且过流维护的电流值能够经过外部电阻设定。一起集成计划还要供给情况符号引脚（标识4）以及逻辑操控引脚（标识5），并操控芯片的作业形式。
