了解MOS管的注册/关断原理你就会发现，运用PMOS做上管、NMOS做下管比较便利。运用PMOS做下管、NMOS做上管的电路规划杂乱，一般状况下含义不大，所以很少选用。
下面先了解MOS管的注册/关断原理，请看下图：
NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有必定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有必定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高），下面以导通压差6V为例。
NMOS管
运用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若运用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确认操控NMOS导通的G极电压，由于S极对地的电压有两种状况，MOS管截止时为低电平，导通时挨近高电平VCC。当然NMOS也是能够当上管的，仅仅操控电路杂乱，这种状况有必要运用阻隔电源操控，运用一个PMOS管就能处理的工作一般不会这么干，明显增加电路难度。
PMOS管
运用PMOS当上管，S极直接接电源VCC，
S极电压固定，只需G极电压比S极低6V即可导通
，运用便利；同理若运用PMOS当下管，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确认操控极G极的电压，运用较费事，需选用阻隔电压规划。
