运用长电缆或电容夹头的测验设置会添加测验仪器输出的电容，导致丈量成果不精确或不安稳。当输出或扫描直流电压并丈量反常活络的低电流时，能观察到这种效应。为了应对这些应战，泰克为吉时利4200A-SCS参数剖析仪引入了两个新的源丈量单元（SMU）模块，即便在测验衔接电容较高的运用中，该模块也能够进行安稳的低电流丈量。
节能的要求越来越高，这就需求越来越低的电流，这是一个日益严峻的丈量应战，如测验智能手机或平板电脑的大型LCD面板。高电容测验衔接或许会出现问题的运用，还包含：探卡上的纳米FET I-V丈量，运用长电缆的MOSFET的传输特性，开关矩阵的FET测验以及电容走漏丈量。
支撑1000倍以上的电容
与其他活络SMU比较，新的吉时利4201中功率SMU和4211高功率SMU（带有可选的4200-PA前置放大器）提升了最大负载电容。在最低支撑电流规模内，4201-SMU和4211-SMU能够供给和丈量的体系电容是现在SMU容量的1000倍。例如，假如电流在1至100 pA之间，则新的吉时利模块能够处理高达1 µF（微法拉）的负载。比较之下，在不下降丈量精度的情况下，同类产品的最大负载电容在该电流水平上的承受能力仅为1,000 pF。
关于面对这些问题的客户，新模块是很名贵的弥补，不只节约排除故障的时刻，还能够节约开支。当测验工程师或研讨人员发现丈量错误时，他们首要需求追寻其来历。这自身或许需求花费很多时刻，而且他们还需求先探究许多或许的原因，然后才干缩小规模。一旦发现原因是体系电容，就必须调整测验参数，电缆长度，乃至重新安排测验设置。这不是抱负挑选。
实践中，新的SMU模块是怎么作业的呢？让我们来看一下平板显示器测验进程中和纳米FET研讨中的几个要害运用。
示例1：平板显示器上的OLED像素驱动器电路
OLED像素驱动器电路印刷在平板显示器上的OLED器材周围。一般，它们的直流特性是经过将SMU开关矩阵衔接起来，然后运用12-16m长的三轴电缆衔接到LCD探针台上来丈量的。因为需求衔接很长的电缆。因而，测验中经常出现不安稳的低电流。这种不安稳性在OLED驱动电路的饱满曲线(橙色曲线)和线性曲线(蓝色曲线)中很明显，当运用传统SMU衔接DUT进行丈量时，成果如下图所示。
运用传统SMU丈量的OLED的饱满度和线性I-V曲线。
可是，当在DUT的漏极端子上运用4211-SMU重复进行这些I-V丈量时，I-V曲线将保持安稳，如下所示。问题处理了。
运用新式4211-SMU丈量的OLED的饱满度和线性I-V曲线。
示例2：具有公共栅极和探卡电容的纳米FET
纳米FET和2D FET测验时器材的一个端子经过探针台的卡盘与SMU衔接。卡盘的电容或许高达几个纳米级，在某些情况下，有必要运用卡盘顶部的导电垫与栅极触摸。一起，同轴电缆也会添加额定的电容。
为了评价新的SMU模块，将两个传统的SMU衔接到2D FET的栅极和漏极，然后发生下面的喧闹的Id-Vg磁滞曲线。
运用传统SMU丈量的2D FET的噪声Id-Vg磁滞曲线。
可是，当两个4211-SMU衔接到同一设备的栅极和漏极时，发生的磁滞曲线滑润且安稳，如下所示，这处理了研讨人员或许需求战胜的首要妨碍。
用两个4211-SMU丈量的滑润且安稳的Id-Vg磁滞曲线。
订货4201-SMU和4211-SMU并预先装备4200A-SCS，以装备全参数剖析处理方案或对现有设备进行现场晋级。无需将设备发送到服务中心即可轻松地在现场完结晋级，然后能够节约数周的停机时刻。
