RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的方位无关的存储器。这种存储器在断电时将丢掉其存储内容，故主要用于存储短时刻运用的程序。
依照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需求改写电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存取存储器。同步是指Memory作业需求同步时钟，内部的指令的发送与数据的传输都以它为基准;随机是指数据不是线性顺次存储，而是由指定地址进行数据读写。
关于SSRAM的一切拜访都在时钟的上升/下降沿发动。地址、数据输入和其它操控信号均于时钟信号相关。
这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的拜访独立于时钟，数据输入和输出都由地址的改动操控。
DRAM(Dynamic RAM)每隔一段时刻，要改写充电一次，不然内部的数据即会消失。
因而SRAM具有较高的功能，可是SRAM也有它的缺陷，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存能够规划为较小的体积，可是SRAM却需求很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM的速率高、功能好，它主要有如下运用：
1)CPU与主存之间的高速缓存。
2)CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
SDRAM(Synchronous DRAM)即同步动态随机存取存储器。同步是指 Memory作业需求同步时钟，内部的指令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需求不断的改写来确保数据不丢掉;随机是指数据不是线性顺次存储，而是自在指定地址进行数据读写。
DRAM演进及具体分类：
A.DRAM(Dynamic Random-Access Memory)，即动态随 机存储器最为常见的体系内存。DRAM 只能将数据坚持很短的时刻。为了坚持数据，DRAM运用电容存储，所以 有必要隔一段时刻改写(refresh)一 次，假如存储单元没有被改写，存储的信息就会丢掉
B. SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory, 同步动态随机存取存储器，同步是指Memory作业需求步时钟，内部的指令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需求不断的改写来确保数据不 丢掉;随机是指数据不是线性顺次存储，而是由指定地址进行数据读写。
C. DDR: SDRAM从开展到现在现已阅历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
第 一代与第二代SDRAM均选用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代因为作业频率比较快，所以选用可下降搅扰的差分时钟信号作为同步 时钟。 SDR SDRAM的时钟频率便是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则标明时钟信号为100或 133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR(Double Data Rate)内存则选用数据读写速 率作为命名规范，而且在前面加上表明其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其作业频 率是333/2=166MHz，2700表明带宽为2.7G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。
很多人将SDRAM过错的理解为第一代也便是 SDR SDRAM，而且作为名词解释，皆属误导。SDR不等于SDRAM。
ROM(Read-Only Memory)只读存储器，是一种只能读出事前所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦贮存材料就无法再将之改动或删去。一般用在不需常常改变材料的电子或电脑体系中，材料而且不会因为电源封闭而消失。
FLASH即闪存。它是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能坚持所存储的数据信息)的存储器，数据删去不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(留意：NOR Flash 为字节存储。)，区块巨细一般为256KB到20MB。
EEPROM即电子可擦除只读存储器。EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删去和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。因为其断电时仍能保存数据，闪存一般被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(根本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存材料等。
