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eFuse电源优化规划

eFuse电源优化设计-在设计服务器和数据中心电源时,设计人员除了需要考虑提升能效和功率密度,还要确保尽可能高的安全性和可靠性,这带来一系列挑战,如无安全工作区(SOA)的顾虑、和诊断及响应等功能安全等等。安森美半导体提供高效、可靠和紧凑的eFuse方案阵容,包括3 V至12 V电源范围和即将推出的24 V、48 V eFuse,帮助设计人员解决这些挑战。

在规划服务器和数据中心电源时,规划人员除了需求考虑提高能效和功率密度,还要保证尽或许高的安全性和牢靠性,这带来一系列应战,如无安全作业区(SOA)的顾忌、和确诊及呼应等功用安全等等。安森美半导体供给高效、牢靠和紧凑的eFuse计划阵型,包含3 V至12 V电源规模和行将推出的24 V、48 V eFuse,协助规划人员处理这些应战。这些eFuse内置实时确诊功用、精细操控和多重维护特性,呼应快,功用和牢靠性优于竞争对手。 

eFuse简介、特性及方针运用

eFuse集成过流、过热及过压维护,供给电流检测、毛病陈述、输出开关操控、反向电流维护、对地短路维护、电池短路维护、可复位,用于任何热插拔运用和需求约束过冲电流的体系,以避免损坏衔接器PCB布线和下流器材。

eFuse比照传统熔丝和PTC自康复保险丝

一般有熔断熔丝、正温系数(PTC)自康复保险丝、热插拔操控器、eFuse等限流维护计划。以1个600 W、20 A的直流电源为例,选用熔断熔丝和PTC自康复保险丝的计划的电流尖峰可别离高达80 A和58 A,而选用eFuse的计划的电流尖峰仅7 A。

熔断熔丝是一次性的,在一次高电流事情熔断后有必要替换。PTC自康复保险丝在正常作业时为低阻状况,当短路产生时,PTC自康复保险丝变热并从低阻状况转向高阻状况,然后供给维护功用,当毛病扫除后,PTC自康复保险丝冷却并复位为低阻状况。与熔断熔丝和PTC自康复保险丝不同,eFuse不是彻底根据变热来限流,而是经过丈量电流,若电流超越规则限值,则约束电流为预设值,后在过热时关断内部开关。与传统熔丝比较,eFuse有以下明显的优势:

过温运转时的参数改变最小

毛病后不会破坏

可调整的电流约束

使能引脚导通或关断器材

毛病引脚陈述已产生的毛病以操控逻辑电路或其它电源轨

软发动以约束浪涌电流

电压钳位,避免负载受电压尖峰影响

或主动复位挑选,若负载康复则全部将复位,无需重启电源

反向电流阻断

表1列出了eFuse相较聚合物正温系数(PPTC)自康复保险丝的优势。

eFuse电源优化规划

表1:eFuse比照PPTC自康复保险丝

eFuse比照热插拔操控器

热插拔操控器虽供给先进的特性和确诊,可经过运用不同的FET添加电流限值,具有严厉的容限电流,但难以保证在SOA运转,且价格更高。 eFuse可保证一直在SOA内运转,供给实时热反应,可经过并联eFuse添加电流限值,节约占板空间,并供给更高性价比。

eFuse易于并联以添加输出电流才能

在实践运用中,体系的作业电流或许高于eFuse规则的电流负荷,咱们可经过并联eFuse来添加输出电流才能。在规划中,咱们将eFuse的使能(enable)引脚和毛病(fault)引脚并联在一起,安森美半导体的eFuse具有共同的三态使能/毛病引脚,高电平代表正常运转,中电平代表热关断形式,低电平代表输出彻底关断。

eFuse电源优化规划

图:12 V eFuse并联演示

安森美半导体高效、牢靠、紧凑的eFuse阵型

在3 V至5 V电源规模,安森美半导体的eFuse首要有NIS5135、NIS5452并行将推出NIS2205、NIS2x5x、NIS3x5x、NIS6452、NIS6150、NIS6350、NIS800x,导通阻抗从33 mΩ至200 mΩ,电流从1 A至5 A。其间,NIS6452、NIS6150、NIS6350集成反向电流阻断(RCP)特性,NIS6150、NIS6350还经过轿车级AEQ-Q100认证。值得一提的是,NIS6x50还集成新的特性IMON,经过在IMON引脚和GND之间衔接1个电阻,以将IMON电流转换为对地参阅电压,然后完成电流监控

针对12V电源,安森美半导体首要供给NIS5020/NIS5021、NIS5820、NIS5232、NIS2x2x并行将推出NIS5420、NIS2402和NIS3220,导通阻抗从14 mΩ至100 mΩ,电流从2.4 A至12 A。其间,NIS5020没有IMON引脚,但可经过检测Rlim 电压丈量负载电流,然后完成体系级增强,相关的运用注释可拜见AND9685/D。

eFuse电源优化规划

图:NIS5020经过检测Rlim 电压丈量负载电流

在热插拔时,电源输入级一般易遭受电压尖峰和瞬态,安森美半导体的eFuse集成过压维护,可供给快速呼应,约束输出电压,然后不易受电压瞬态的影响。有些运用要求推迟热刺进后的输出导通,以使输入电压安稳,相关的运用注释可拜见AND9672/D。

eFuse电源优化规划

图:12 V eFuse热插拔发动推迟完成体系级增强

此外,安森美半导体行将推出24 V NIS6124和48 V大电流eFuse,NIS6124针对24至36 V 供给40 V耐压,48 V系列的特性有:高边eFuse 过流关断,48V 运用达80V 峰值输入电压,直流才能超越120 A并可经过增加MOSFET扩展电流才能,容性负载的有源励磁涌流约束,V2主动重试功用。48 V eFuse可当即测验,可根据需求简化或修正PCB,可用作参阅规划。

牢靠性测验

安森美半导体的eFuse都经重复短路牢靠性测验(AEC-Q100-012)。实验在25°C和-40°C条件下进行,以供给最高热偏移和应力,运转10万至100万个周期,成果都无功用问题且导通阻抗或其它参数都无改变。与竞争对手比较,安森美半导体的eFuse的浪涌功用都更超卓。

总结

服务器和数据中心电源的安全性和牢靠性至关重要。eFuse集成过流、过热及过压维护,且供给确诊和操控功用,比传统熔丝、PTC自康复保险丝及热插拔操控器都更有优势,是一种经济高效的代替计划。安森美半导体供给高效、牢靠和紧凑的eFuse计划阵型,包含3 V至12V 电源规模以及行将推出的24V和48 V大电流eFuse,内置实时确诊功用、精细操控和多重维护特性,保证一直作业在SOA,呼应快,经重复短路牢靠性测验,避免电路免受高浪涌电流、电压尖峰和热耗散的危害,功用和牢靠性优于竞争对手,例如选用共同的3态使能/毛病引脚,可并联eFuse以增强电流才能,IMON新特性可完成输出电流监控,热插拔发动推迟完成体系级增强等。

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