现如今家用电器、视听产品越来越遍及，加之办公自动化的广泛应用和网络化的不断发展，越来越多的产品具有了待机功用。这些新产品、新技术在极大便利咱们日子的一起，也形成了很多的动力糟蹋。咱们都知道“动力之星”，欧美以及亚洲各国都有各自的一些规范规范，在致力于进步这些设备所用电源作业能效的一起，也重视进步轻载能效和下降待机能耗。
闲话少说，我这里是想讲讲关于一个反激式开关电源而言，咱们能够经过以下几个方面来进步轻载功率和待机功耗：
表1. 轻载能耗规范
1. 开关MOSFET的损耗一般能够分为导通损耗、开关损耗、驱动损耗等。前两种是MOSFET的首要损耗。在轻载和空载情况下，原边电流的峰值和有效值都会显着下降，这时候的开关损耗是主导要素。而开关损耗与Vds电压、开关频率有着直接的联系。因而，削减MOSFET在轻载和空载时的损耗，能够经过运用QRC 形式的反激芯片和具有降频、间歇作业方式的芯片来完成;
2. 运用具有HV发动功用的芯片，这样能够防止发动电阻发生的损耗。别的，要挑选适宜的X电容泄放电阻;
3. 对反应线路的优化。挑选CTR高的光耦、低作业电流的基准431以及较大的输出电压取样电阻都能够必定程度的下降待机功耗。当然，一起也要考虑到对Dynamic的影响;
4. 对吸收线路的优化。传统的RCD嵌位线路会形成比较大的损耗，相对而言，运用TVS嵌位也能够进步轻载能效和待机功耗;
此外，运用ZFB比较大的芯片，以及优化变压器的规划也会起到必定的积极作用。
总归，进步反激式开关电源的轻载能效及下降待机功耗，需要对反激式拓扑线路做具体的剖析，捉住每一个损耗的源头，一点一滴的累积并进步，才干最大极限的满意日益严厉的需求。
