运用运放反应与基准电压生成恣意巨细的直流电流是一个简略、直接的进程。可是，假定需求生成一些恣意数量（以N为例）的电流沉/源（current sink/source），而每个电流沉/源的巨细恣意，或许需求针对不同阶段的一些杂乱模仿电路进行偏置。虽然基准电压的生成仅须一次施行即可，电流沉整个反应部分的重复进行却使本钱与规划空间密布化。那么问题来了：是否能够运用单个反应源来完成这种偏置网络呢？答案是必定的，虽然这有些杂乱，也须满意某些特定条件。该网络（本文剖析中仅以电流沉为例）如图1所示。
图1：灌电流网络
终究MOSFET（金氧半场效晶体管）源电压VS以及RSET电阻决议着各柱上的灌电流（sink current）；经过去除来自外部电流沉柱的反应（即一切N》1），已失掉对VSN的直接操控。因而，RSETN有必要精心挑选以生成预期的恣意第N个柱的灌电流，即ISINKN。仔细观察上面的图1，很简单得出界说偏置网络第N个柱电流与第1个柱电流的比值的等式︰
从头调整等式1，得出R1与RN电阻比MRN，等式变为：
那么该偏置网络第N个柱的MOSFET源电压是什么，VSN？考虑到作业在饱满区的NMOS漏极电流等式是：
有必要留意的是，这儿能够很大程度上疏忽通道宽度调制的影响。这是由于任何因漏极电压上升导致的漏极电流的上升会在经过RSET电阻后下降，并导致源电压的上升。为了使MOSFET能保持任何电流，栅极电压有必要大于源电压与阈值电压的和。也就是说，给定一个栅极电压，源电压将被约束在至少比栅极电压小一个阈值电压的值，且再大的漏极电压上升也不会提高漏极电流。因而，构建相应运转条件，RSET有必要足够大，然后保证在上述约束下可答应作出以下假定：
等式1中的比值可根据等式3和4改写成：
为了简化等式5，可作出如下界说：
运用等式5进行替换与调整后，可导出VSN的等式：
将等式8代入等式2可得出：
那么栅极驱动对阈值电压的差是什么呢，VGT？这终究由偏置网络第1柱的反应决议；它本质上是保持所需ISINK1电流需求的电压：
从头调整等式11的项，可得出VGT的等式：
将等式13代入等式10可得出：
最终，电阻比MRN能够单纯地写成MIN的函数（加上偏置网络设备的一些物理常数），如下所示：
现在关于RSET电阻比率的等式已导出，接下来能够探求树立恣意巨细的偏置电流网络的意义与影响。
