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陶瓷电容器的温度特性

本站为您提供的陶瓷电容器的温度特性,NPO(COG)是温度特性最稳定的电容器,电容温漂很小(什么是温漂?你上网查查),整个温度范围容量很稳定,温度也是-55~125度,适用于振荡器,超高频滤波去耦,但容量一般做不大,几千个pF吧。

什么是陶瓷电容器

陶瓷电容器 (ceramic capacitor;ceramic condenser ) 便是用陶瓷作为电介质,在陶瓷基体双面喷涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外形以片式居多,也有管形、圆形等形状。

陶瓷电容器是以陶瓷资料为介质的电容器的总称。其品种繁多,(CG电容器、Y电容、高压陶瓷电容、沟通陶瓷安规电容外形尺寸相差甚大。按运用电压可分为高压,中压和低压陶瓷电容器。按温度系数,介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。此外,还有I型、II型、III型的分类办法。一般陶瓷电容器和其他电容器比较,具有运用温度较高,比容量大,耐湿润性好,介质损耗较小,电容温度系数可在大规模内挑选等长处。广泛用于电子电路中,用量非常可观。

这几种是:Y5V,X5R,X7R,NPO(COG)

那么这些原料代表什么意思呢?第一位表明低温,第二位表明高温,第三位表明误差

Y5V表明作业在-30~+85度,整个温度规模内误差-82%~+22%

X5R表明作业在-55~+85度,整个温度规模内误差正负15%

X7R表明作业在-55~+125度,整个温度规模内误差正负15%

NPO(COG)是温度特性最安稳的电容器,电容温漂很小(什么是温漂?你上网查查),整个温度规模容量很安稳,温度也是-55~125度,适用于振荡器,超高频滤波去耦,但容量一般做不大,几千个pF吧。

陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高安稳振荡电路中,作为回路电容器。低频瓷介电容器用在对安稳性和损耗要求不高的 场合或作业频率较低的回路中起旁路或隔直流效果,它易被脉冲电压击穿,故不能运用在脉冲电路中。高频瓷介电容器适用于高频电路。

陶瓷电容器的温度特性

使用陶瓷电容器首要要注意的便是其温度特性;

不同资料的陶瓷介质,其温度特性有极大的差异。

第一类陶瓷介质电容器的温度性质

依据美国规范EIA-198-D,在用字母或数字表明陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母C)温度系数α的有用数字;第二位部分有用数字的倍乘(如0即为100);第三部分为随温度改变的容差(以ppm/℃表明)。这三部分的字母与数字所表达的含义如表。

例如,C0G(有时也称为NP0)表明为:第一位字母C为温度系数的有用数字为0,第二位数字0为有用温度系数的倍乘为100=1,第三位字母G为随温度改变的容差为±30ppm/℃,即0±30ppm/℃;C0H别离表明为:第一位字母C为温度系数的有用数字为0,第二位数字0为有用温度系数的倍乘为100=1,第三位字母H为随温度改变的容差为±60ppm/℃,即0±60ppm/℃;S2H则别离表明为:第一位字母S为温度系数的有用数字为3.3,第二位数字2为有用温度系数的倍乘为102=100,第三位字母H为随温度改变的容差为±60ppm/℃,即-330±60ppm/℃

第一类陶瓷电容器的电容量简直不随温度改变,下面以C0G介质为例。C0G介质的改变量仅0±30ppm/℃,实际上C0G的电容量随温度改变小于0±30ppm/℃,大约为0±30ppm/℃的一半。

第二类陶瓷介质电容器的温度性质

依据美国规范EIA-198-D,在用字母或数字表明陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母X)最低作业温度;第二位部分有用数字为最高作业温度;第三部分为随温度改变的容差(以ppm/℃表明)。这三部分的字母与数字所表达的含义如表 。

常见的Ⅱ类陶瓷电容器有: X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U

其间:X7R表明为:第一位X为最低作业温度-55℃,第二位的数字7位最高作业温度+125℃,第三位字母R为随温度改变的容值误差±15%;

X5R表明为:第一位X为最低作业温度-55℃,第二位的数字5位最高作业温度+85℃,第三位字母R为随温度改变的容值误差±15%;

Y5V表明为:第一位Y为最低作业温度-30℃,第二位的数字5位最高作业温度+85℃,第三位字母V为随温度改变的容值误差+22%,-82%±15%。

Z5U表明为:第一位Z为最低作业温度+10℃,第二位的数字5位最高作业温度+85℃,第三位字母U为随温度改变的容值误差+22%,-56%,

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