PN结的单向导电性
P端接电源的正极，N端接电源的负极称之为PN结正偏。此刻PN结好像一个开关合上，出现很小的电阻，称之为导通状况。
P端接电源的负极，N端接电源的正极称之为PN结反偏，此刻PN结处于截止状况，好像开关翻开。结电阻很大，当反向电压加大到必定程度，PN结会发作击穿而损坏。
伏安特性曲线
伏安特性曲线：加在PN结两头的电压和流过二极管的电流之间的联系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：PN伏安特性
正向特性：u>0的部分称为正向特性。
反向特性：u<0的部分称为反向特性。
反向击穿：当反向电压超越必定数值U（BR）后，反向电流急剧添加，称之反向击穿。
势垒电容：耗尽层宽窄改变所等效的电容称为势垒电容Cb。
变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb显着随u的改变而改变，而制成各种变容二极管。如下图所示。PN结的势垒电容
平衡少子：PN结处于平衡状况时的少子称为平衡少子。
非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区分散到N区的空穴和从N区分散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
分散电容：分散区内电荷的堆集和开释进程与电容器充、放电进程相同，这种电容效应称为Cd。
结电容：势垒电容与分散电容之和为PN结的结电容Cj。
