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简易发光二极管测验办法

本站为您提供的简易发光二极管测试方法,系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。

  我国光学光电子职业协会光电器材专业分会依据国内及职业内部的实际状况,开始拟定了职业标准"发光二极管测验办法".本文叙说了与发光二极管测验有关的术语和界说,在此基础上,具体介绍了测验办法和测验设备的要求.

  本文触及的测验办法适用于紫外/可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测验能够参照进行。

  2 术语和界说

  2.1发光二极管 LED

  除半导体激光器外,当电流鼓励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲,术语LED应该仅使用于发射可见光的二极管;发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管(IRED,Infrared EmitTIng Diode) ;发射峰值波长在可见光短波限邻近,由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管;可是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。

  2.2光轴 OpTIcal axis

  最大发光(或辐射)强度方向中心线。

  2.3正向电压VF Forward voltage

  经过发光二极管的正向电流为确认值时,在南北极间发生的电压降。

  2.4反向电流IR Reverse current

  加在发光二极管两头的反向电压为确认值时,流过发光二极管的电流。

  2.5反向电压VR Reverse voltage

  被测LED器材经过的反向电流为确认值时,在南北极间所发生的电压降。

  2.6总电容C Capacitance

  在规则正向偏压和规则频率下,发光二极管两头的电容。

  2.7开关时刻 Switching TIme

  触及以下概念的最低和最高规则值是10%和90%,除非特别注明。

  2.7.1敞开延迟时刻td(on) Turn-on delay TIme

  输入脉冲前沿最低规则值到输出脉冲前沿最低规则值之间的时刻间隔。

  2.7.2上升时刻tr Rise time

  输出脉冲前沿最低规则值到最高规则值之间的时刻间隔。

  2.7.3敞开时刻ton Turn-on time

  器材所加输入脉冲前沿的最低规则值到输出脉冲前沿最高规则值之间的时刻间隔

  ton= td(on)+tr

  2.7.4封闭延迟时刻td(off) Turn-off delay time

  器材所加输入脉冲后沿的最高规则值到输出脉冲后沿最高规则值之间的时刻间隔

  2.7.5下降时刻tf Fall time

  输出脉冲后沿最高规则值到最低规则值之间的时刻间隔(见图1)。

  图1 开关时刻 延迟时刻

  


1.jpg

 

  2.7.6封闭时刻toff Turn-off time

  器材所加输入脉冲后沿的最低规则值到输出脉冲后沿最低规则值之间的时刻间隔。

  toff =td(off)+tf

  2.8光通量Φv Luminous flux

  经过发光二极管的正向电流为规则值时,器材光学窗口发射的光通量。

  2.9辐射功率Φe Radiant power

  经过发光二极管的正向电流为规则值时,器材光学窗口发射的辐射功率。

  2.10辐射功率功率ηe Radiant power efficiency

  器材发射的辐射功率 与器材的电功率(正向电流 乘以正向电压 )的比值:

  ηe =Φe/(IF•VF)

  注:在与其它术语不会混杂时,可简称为辐射功率 (Radiant efficiency)。

  2.11光通量功率ηv Luminous flux efficiency

  器材发射的光通量Φv 与器材的电功率(正向电流 IF乘以正向电压 VF)的比值:

  ηv =Φv/(IF•VF)

  注:在与其它术语不会混杂时,可简称为发光功率(Luminous efficiency)。

  2.12发光(或辐射)空间散布图及相关特性

  2.12.1发光(或辐射)强度Iv Luminous(or Radiant) intensity

  光源在单位立体角内发射的光(或辐射)通量,可表明为Iv =dΦ/dΩ。发光(或辐射)强度的概念要求假定辐射源是一个点辐射源,或许它的尺度和光探测器的面积与离光探测器的间隔比较是满足小,在这种景象,光探测器外表的光(或辐射)照度遵从间隔平方反比定理,即E=I/d2 。这儿I是辐射源的强度,d是辐射源中心到探测器中心的间隔。把这种状况称为远场条件。然而在许多使用中,丈量LED时所用的间隔相对较短,源的相对尺度太大,或许探测器外表构成的视点太大,这便是所谓的近场条件。此刻,光探测器丈量的光(或辐射)照度取决于正确的丈量条件。

  2.12.2均匀LED强度 Averaged LED intensity

  照射在离LED必定间隔处的光探测器上的通量Φ与由探测器构成的立体角Ω 的比值,立体角可将探测器的面积S除以丈量间隔d的平方核算得到。

  I=Φ/Ω=Φ/(S/d2)

  CIE引荐标准条件A和B(见7.2.1.2)来丈量近场条件下的均匀LED强度,能够别离用符号ILED A和ILED B来表明,用符号ILED Ae和ILED Av别离表明标准条件A丈量的均匀LED辐射强度和均匀LED发光强度。

  2.12.3发光(或辐射)强度空间散布图 Luminous(or Radiant)diagram

  反映器材的发光(或辐射)强度空间散布特性(见图2):

  Iv(或Ie)=f(θ)

  图2 辐射图和有关特性

  


2.jpg

 

  注1:除非别的规则,发光(或辐射)强度散布应该规则在包含机械轴Z的平面内。

  注2:假如发光(或辐射)强度散布图形有以Z轴为旋转对称特性,发光(或辐射)强度空间散布图 仅规则一个平面。

  注3:假如没有以Z轴为旋转对称特性,各种视点θ的发光(或辐射)强度散布应有要求,X、Y、Z方向要求可有具体标准界说。

  

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