广告

您的位置 首页 主动

可控硅作业原理

本站为您提供的可控硅工作原理,
可控硅


可控硅作业原理


可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,剖析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示



图1 可控硅等效图解图


当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于扩大状况。此刻,假如从操控极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2扩大,其集电极电流IC2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此刻,电流ic2再经BG1扩大,所以BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的成果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱满导通。


因为BG1和BG2所构成的正反馈效果,所以一旦可控硅导通后,即便操控极G的电流消失了,可控硅依然可以保持导通状况,因为触发信号只起触发效果,没有关断功用,所以这种可控硅是不行关断的。


因为可控硅只需导通和关断两种作业状况,所以它具有开关特性,这种特性需求必定的条件才干转化,此条件见表1


表1 可控硅导通和关断条件


状况 条件 阐明
从关断到导通 1、阳极电位高所以阴极电位
2、操控极有满足的正向电压和电流
 两者缺一不行
保持导通 1、阳极电位高于阴极电位
2、阳极电流大于保持电流
  两者缺一不行
从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位
2、阳极电流小于保持电流
 任一条件即可 


 



二、根本伏安特性


图2 可控硅根本伏安特性


可控硅的根本伏安特性见图2



(1)反向特性


当操控极开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此刻只能流过很小的反向饱满电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流敏捷添加,图3的特性开端曲折,如特性OR段所示,曲折处的电压URO叫“反向转机电压”。此刻,可控硅会发作永久性反向击穿。



图3 阳极加反向电压


(2)正向特性


当操控极开路,阳极上加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与一般PN结的反向特性类似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状况,当电压添加,图3的特性发作了曲折,如特性OA段所示,曲折处的是UBO叫:正向转机电压



图4 阳极加正向电压


因为电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发作雪崩倍增效应,在结区发生很多的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区经过J1结注入N1区的空穴复合,相同,进入P2区的空穴与由N2区经过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能悉数复合掉,这样,在N1区就有电子堆集,在P2区就有空穴堆集,成果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只需电流稍添加,电压便敏捷下降,呈现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。


这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状况—通态,此刻,它的特性与一般的PN结正向特性类似,见图2中的BC段


3、触发导通


在操控极G上参加正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,构成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈效果(见图2)的基础上,加上IGT的效果,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。



图5 阳极和操控极均加正向电压
 
  

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/ziliao/zhudong/66665.html

广告

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部