因为共射扩展电路的输入阻抗高，能够直接衔接要扩展的信号源，然后使用共基扩展电路的“沃尔曼化”消除“密勒效应”，进步带宽，最终经过共集扩展电路衔接负载，因为共集扩展电路的输出阻抗低，充任一个buffer，能够带动重负载。
1、共射扩展电路
电路原理图如下：
①、扩展倍数为：A=-Rc/Re。依据需求规划Rc和Re的取值。②、输入阻抗：Zin = beta * Re。（R1与R2为三极管供给偏置电压，这儿先疏忽，当然实践应该考虑）。因为三级管的电路扩展特性，Re折算到输入端需求扩展beta倍，所以输入阻抗高。③、输出阻抗：Zout = Rc。为了下降三级管的电流，下降功耗，所以Rc一般取值很大。④、频率特性：因为存在密勒效应，三极管基极和集电极之间的寄生电容在扩展区会扩展A倍反应到输入端，所以频率特性较差，无法扩展高频信号。
2、共集扩展电路
电路原理图如下：
①、扩展倍数为：A=1。输出电压时输入电压减去三极管的管压降0.7V。②、输入阻抗：Zin = beta * Re。因为三级管的电路扩展特性，Re折算到输入端需求扩展beta倍，所以输入阻抗高。③、输出阻抗：Zout = Re / beta。相同因为三极管的电路扩展特性，Re折算到输出端需求减小beta倍，所以输出阻抗低。（尽管古怪，可是推导下来的确如此，这也是共集扩展电路的最重要的长处）④、频率特性：共集扩展电路不存在密勒效应，所以频率特性非常好。
3、共基扩展电路
电路原理图如下：
①、扩展倍数为：A=Rc/Re。扩展原理与共射扩展电路相同。可是为正向扩展，共射扩展电路为反向扩展。②、输入阻抗：Zin = Re。（相同疏忽基极的偏置电压），因为短少beta倍扩展的“阻隔”效果，输入阻抗不大，这是缺陷。③、输出阻抗：Zout = Rc。输出阻抗与共射扩展电路相同，较高，这也是缺陷。④、频率特性：共基扩展电路的基极有大电容，为沟通基地，所以不存在密勒效应，频率特性好。
4、其他扩展电路
其他扩展电路都是在前面三种扩展电路基础上的变形，只要把上面三种扩展电路了解的深入，其他再怎样变都能够很快把握。差分扩展电路为了减小共射扩展电路温漂带来的影响。功放，音响中中的后级扩展电路为共集扩展电路的变形，一个好的功放会比我介绍的甲类、乙类、甲乙类功放杂乱的多得多，可是万变不离其间。
