作为NOR闪存最重要的领导厂商之一，Spansion公司最近发布了其并行NOR闪存的最新产品，业界首款45nm单芯片8Gb NOR闪存。该系列产品是Spansion GL并行NOR产品线的最新成员，也是65nm Spansion GL-S产品系列的弥补。Spansion公司NOR产品营销副总裁Jackson Huang介绍说，Spansion GL-T 45nm 8Gb NOR闪存的读取速度可达95MB/s，编程速度为1.8MB/s，是现在市面上读取速度最快的产品一起也是现在市面上最高容量的NOR Flash，该产品首要针对消费、轿车、游戏、电信和工业等运用。该系列产品正式量产时将由SMIC武汉工厂代工，Jackon Huang标明对产品的良率很满足，在商场上十分有竞争力，并没有泄漏详细的产品良率。
Spansion公司NOR产品营销副总裁Jackson Huang
Spansion自始自终采用了Spansion的MirroBit技能来制作最新的GL-T系列NOR闪存。现在MirrorBit技能首要是运用Spansion的并行NOR闪存和SPI产品上，是Spansion独有的技能，没有直接授权给其它公司运用。Jackson Huang介绍说，和传统的浮栅技能比较，MirrorBit首要长处是：存储单元的结构更简略，纵向上比浮栅更小；能够下降耦合与搅扰，然后进步功能和牢靠性；易于完成出产。MirroBit实质上是一种电荷圈套技能，最早是在Spansion从AMD独立出来之前，由AMD在2002年发布。有材料称，开始开发该技能是为了下降NOR闪存的制作本钱，进步NOR闪存的存储密度，并与Intel的MLC（Multi-Level Cell）NOR技能在本钱上相抗衡。MirrorBit和传统浮栅最显着的差异在于，MirrorBit技能运用了一个电荷圈套层来代替传统的浮栅，电荷圈套层是绝缘体，而浮栅是导体。MirrorBit一起也利用了用于存储电荷的氮化物不导电的特性，让两个bit能够同享同一个存储单元。
MirrorBit技能示意图
浮栅技能和MirrorBit比照
尽管Spansion最近在NOR闪存方面商场体现不错，可是，放眼整个NOR闪存的整体商场，好像有增加放缓、乃至是逐步萎缩下滑的趋势，特别是遭到NAND闪存的冲击，远景好像面临了严重应战。有材料标明，2010年运用NOR闪存的手机占14%，而现在现已降至7%以下，被NAND替代了很多比例。关于NOR闪存商场的走势，Jackon Huang以为：“咱们以为NOR闪存商场仍是适当安定的。NOR里边分红两大类，一种是并行的，还有一种是SPI的NOR闪存。现在低阶的并行NOR闪存逐步被SPI所替代，但中高阶的商场仍是十分安定的，这也正是咱们公司产品所针对的方针商场。”
笔者以为，NOR闪存的编程、擦写速度是其最丧命的短板。尽管和NAND闪存比较，NOR闪存的牢靠性更高，但在重量极重的消费电子产品商场，面临NAND闪存的价格优势以及不可同日而语的写入速度，NOR闪存被NAND闪存所替代，并不是不可能的事。现在NOR闪存应该做的，或许是守住那些对读取速度和牢靠性要求高，但不着重写入速度的运用领域，例如轿车、工业、医疗，或是消费电子的体系固件等。
