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EPC推出选用EPC氮化镓(eGaN)技能的150安培开发板

EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流,因此可以提高激光

宜普电源转化公司(EPC)宣告推出全新的100 V、150 A大电流脉冲激光二极管的驱动演示电路板(EPC9126HC)。面向全自动轿车运用的激光雷达体系需求制造三维地图,因而,侦测四周的方针物件的速度及准确性变得非常重要。从EPC9126HC演示电路板能够看到,与等效MOSFET比较,具有快速转化特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)所供给的脉冲功率能够快十倍的速度驱动激光二极管,然后提高激光雷达体系的全体功能。

EPC9126HC开发板首要驱动激光二极管,备有参阅接地的氮化镓场效应晶体管(EPC2001C)。该晶体管由德州仪器公司的UCC27611栅极驱动器驱动。EPC2001C的最高电压为100 V,可驱动高达150 A脉冲电流。EPC9126HC开发板给高功率triple-junction激光二极管的驱动电流高达75 A,其脉宽能够低至5 ns。

开发板为装贴激光二极管所需,供给多个可选并具有超低电感的衔接,以及可利用电容器放电(装运时装备),或由电源总线直接驱动二极管。开发板并没有包括激光二极管,它需求由运用者供给,然后对不同的运用进行针对性的评价。

PCB的规划是把功率环路电感减至最小而一起坚持装贴激光二极管的灵活性。板上备有多个无源探头(passive probe),可丈量电压及放电电容器的电流,以及备有为50 Ω丈量体系而设的输入及传感器的SMA衔接器。此外,运用者可运用可选的高精度窄脉冲发生器。

最终,EPC9126HC能够在其它选用参阅接地的eGaN FET的运用中发挥其效能,例如Class E或其它相同的电路。

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