简介：CCM是电感电流接连形式的简称，现在选用这种形式的反激变压器正在逐步流行起来。不管哪种类型的变压器，核算方面的问题永远是最杂乱的，网络上关于电路规划和硬件方面的材料许多，可是对核算部分进行详解的文章却比较少，小编特意将达人的经历总计为文章，协助咱们把握CCM形式反激变压器的核算。
在这篇文章傍边咱们将主讲CCM形式反激改换器的各类核算公式，以及波形。
基本参数
最小直流电压Vdcmin：100V开关频率F：65KHZ
最大直流电压Vdcmax：375V反射电压VOR：120V
输出电压Vo：12V原边开关管压降Vdson：0.5V
输出功率Po：100W(8.33A)输出整流管压降Vd1：0.5V
改换功率η：0.9VCC整流管压降Vd2：0.5V
次级匝数Ns：7T磁芯：EER35/40
注：1、非实践产品，仅做举例。
由于HVDC电压的巨细与Cin、温度密切相关，故不界说Vacmin;
3、原边电流的核算，其实是参阅了《开关电源手册》，见p156–p180，110W反激变压器规划，原文中界说的原边电流，IP2=3*IP1，即KRP=0.66。本文顶用X、Y、Z来描绘原边电流，即固定X=10，Y为恣意值，KRP也就为恣意值。
4、损耗的核算参阅了《开关电源仿真》p542，90W反激变压器规划。
5、各种公式再接连弥补、批改;
6、核算结果利用了PI的电子数据核算表格核算，代入相关要害参数即可。
图1
注：由于VDS的峰值电压与漏感有密切联系，故核算式中没有包含尖峰电压;
原边有用电流的核算公式取自于《开关电源仿真》。
需求留意的是，这儿TON、TOFF标反了，由于影响不大所以暂时就不改了，下一步是原边的各种损耗核算。
留意第7步之后，有两种核算办法：
榜首种办法是先核算出峰值电流、纹波电流，再经过纹波电流来核算出原边电感量，公式：LP=V*TON/Ip。
第二种核算办法是，先核算出原边电感量，然后经过纹波电流核算出峰值电流，公式：Ip=Ia/Dmax+△i/2
(第二种办法见《变压器电感器规划手册》p293—-接连形式阻隔BUCK-BOOST改换器规划)
第14–17步阐明：
1、这一部分内容，选自《开关电源仿真》，深入研究请参阅原文。
2、不同的材料核算办法稍有不同，需求再查材料剖析剖析。
(关于开关损耗和导通损耗，上面的核算办法应该是正确的，参阅《通晓开关电源》第5章。最有可能会呈现的问题是，丈量的准确性怎么，由于这会导致核算值与实践值相差2–5倍。)
磁性元器件核算或许是次级参数核算。
RCD缓冲电路有两个效果，榜首个是约束半导体两头电压的上升速率或许是减小EMC搅扰，第二个是钳位，要理解装置RCD缓冲的意图是什么。
假如仅仅是钳位，问题就简略了，只需求把“剩余”的能量贮存在足够大的电容中，然后经过适宜电阻的去耗费它，这儿面没有太多的学识。一般的中小功率ACDC改换器，钳位电容挑选2200PF–0.1UF都是能够的。
漏感中贮存的能量越大，开关频率越低，钳位电容的容量肯定会越大。
别的，钳位电容对原料、体积有一些要求，由于会发热。电阻的核算也很简略，绕组或许半导体两头会有一个渠道电压，直接核算就能够了。电阻的阻值决议了功耗，电阻上究竟要耗费多少功率，取决于漏感中存储的能量以及钳位电压的幅值。
例：100W的反激改换器，1%漏感，理论上你至少要耗费掉1W的功率，选用3W的电阻;
100W的反激改换器，2%漏感，理论上至少要耗费掉2W的功率，选用6W的电阻;
虽然有一部分能量会经过MOS、二极管的开关损耗耗费掉，但R上的损耗大约便是这个份额，不会相差太大。需求留意，钳位电压和二极管的开关速度、MOS管的驱动才能等等都有很大的联系。
假如RCD耗费的功率特别大，应该是别地当地出了问题。操控环路的问题很难阐理解，主张参阅《开关电源手册》第三部分，第八章，特别是P435页说到的办法三(最终两行文章)。这儿多说一句，在剖析了很多大师的著作之后，发现他们好像十分喜爱这么干。
别的一点，便是关于电容的核算办法，一般来说有三种：
