来自IBM和佐治亚理工大学（Georgia Institute of Technology）的研讨人员近来宣告，他们研制的根据SiGe工艺的晶体管作业频率到达500GHz，比现有的手机中所用的晶体管的作业频率快250倍。到目前为止，只要选用贵重的III-V族混合半导体资料的IC才干到达这种功能。
SiGe异质结双极晶体管作业在 4.5K温度下，该低温是经过液氦冷却取得。在室温下，该晶体管的作业频率为350GHz。测验试验是经过佐治亚理工大学电子设计中心的一个特制的高频测验体系完结的。
坐落佐治亚理工大学电子设计中心的低温测验站在关闭设备内的黑色广场便是SiGe芯片
尽管该破记载的速度是在极低温的环境下取得的，但成果依然标明SiGe器材的功能上限或许超越人们的开端希望。该研讨小组的下一步方针是搞清楚这种SiGe晶体管的背面物理原理，为什么在极低温度下会呈现如此不寻常的功能体现。如想了解更多信息，请与佐治亚理工大学的John Toon联络，电话：001-404-894-6986，Email：@gatech.edu”>jtoon@gatech.edu；或许致电IBM的Glen Brandow，电话：001-914-766-4615，Email：brandow@us.ibm。
