ARM是32位，地址空间是2的32次幂，4G地址空间。一切的外设（FLASH,RAM,SD卡等等）都映射到这4G的空间上。比方大部分ARM7都把RAM映射到0x40000000,所以对RAM的操作就在0X40000000开端的地址上。FLASH从0X0开端。运用FLASH还要考虑地址重映射，便是挑选片内FLASH或片外FLASH。
FLASH一般是8位或16位，当它接到32位的ARM上时，地址位就会错位。关于16位FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1。关于8位FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0。ARM的A0对应8位，ARM的A1对应16位，ARM的A2对应32位，假如FLASH是32位，那么FLASH的A0接ARM的A2
32位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A2，由于32位地址表明4个字节，每非必须跳4个字节的话，那么便是从A2开端才改变，A1 A0不改变
16位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A1，由于16位地址表明2个字节，每非必须跳2个字节的话，那么便是从A1开端才改变，A0不改变
8位的FLASH，FLASH的A0要接ARM的A0，由于8位地址表明1个字节，每非必须跳1个字节的话，那么便是从A0开端才改变。
关于 16位的FLASH ，咱们能够这样以为：16位存储器的设计者将低位A[0]省掉了，咱们只需读取一次就能够得到两个字节，读取的
这个地址对应于ARM宣布的地址的A[21..1]，即实际上是存储器需求的偶地址（偶地址是针对ARM宣布的地址而言的）。
LPC2200，S3C2410A,S3C2440等都是上述这样的，当然也有不同的。
IMX27和BF537这两款CPU都是不论存储器是多少位的的,都是直接A0-B0,没有任何考虑错位的状况，是由于他们的存储控制器现已内部作了处理
了,三星的如S3C2443\S3C2450\S3C6410等后续的也都是这姿态了
再来看看外部总线装备EMC和外部总线功用引脚的联系：
OE：输出使能 OUT EABLE
WE：WRITE EABLE 写入使能
CE：chip EABLE 片选
ALE：地址锁存使能（ADRESS LOCK EABLE）
BLS：字节挑选信号
要点看 WE BLS 的联系
在LPC2200系列ARM中，为了习惯外部存储器组的宽度和类型，EMC供给了一组字节挑选信号，要完成这些功用，需求对相应存储器装备寄存器中的RBLE位进行设定。
对外部存储器组进行写拜访时，RBLE位决议WE信号是否有用；
对外部存储器组进行读拜访时，RBLE位决议BLSn信号是否有用。
外部存储器的接口取决于存储器组的宽度（32位、16位、8位，由BCFG的MW位决议）。并且，存储器芯片的挑选也需求对BCFG寄存器的RBLE位进行恰当的设置。挑选8位或许不按字节区别的的存储器的时分，RBLE位应该为0，在读拜访期间EMC将BLS[3:0]拉高。当存储器组为含有字节挑选挑选输入的16位或32位存储器组成的时分，RBLE位应该为1，在读拜访期间EMC将BLS[3:0]拉低。留意这儿没有对RBLE为0或1的时分，写拜访期间BLS[3:0]引脚的电平作出告知。
以16位宽的存储器组衔接16位的存储器芯片为例（这种状况比较常见，周建功的easyarm2200便是这样的）。很显然这儿RBLE位应该为1。
BLS[1]、BLS[0]别离接到了存储器芯片的UB、LB脚。作为16位的存储器芯片，要获得16位宽度的字，无论是读拜访仍是写拜访，UB和LB位都必须为低电平0。作为16位的ram，程序中不可避免的存在对它的写操作。程序能正常运转就阐明对它的写操作是成功的。能够进一步揣度在写拜访期间，BLS[1] 、BLS[0]是低电平的。当存储器组为含有字节挑选挑选输入的16位或32位存储器组成的时分，RBLE位应该为1，在读拜访期间EMC将BLS[3:0]拉低。在写拜访周期EMC同样是将BLS[3:0]拉低。
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