功率开关器材MOSFET在驱动电路中的使用频率在最近几年直线上升，在一些中小功率的开关电源产品中，使用MOSFET完结驱动电路的规划不只省时省力，还具有杰出的功率转化作用。本文将会为各位工程师共享一种主张的MOSFET自举驱动电路规划计划，下面就让咱们一同来看看吧。
信任大多数工程师都十分了解的一个规划要求是，在一个开关电源的电路规划过程中，驱动电路的作业要求是在最短的时刻内改动MOSFET的阻抗，使其从最大值转化成最小值。实践的导通时刻至少是理论值的数量级2、3倍的时刻延迟。这一要求也从旁边面说明晰一个问题，那就是MOSFET的寄生参数比笼统出来的模型杂乱的多，它们将会随驱动电压的改动而改动。而自举驱动电路的规划意图是把这些电容充溢，使门极电压到达导通值。主板buck电路规划中，为下降续流二极管的导通损耗，用低导通阻值的场效应管替代二极管，上下两个开关管交织导通,即所谓同步整流形式，其电路规划作用如下图图1所示。
图1 同步整流结构中的上下端开关管
在图1所展现的这一同步整流结构的电路图中能够看到，下端开关管源极接地驱动相对简略，上端源极(Phase端)电压在0—Vin间改变，驱动时需求自举电路完成门源间的电压差。因而，依据功率器材MOSFET的开关特色，本文规划了带自举才能的MOSFET推挽驱动电路，其电路结构的规划图下图图2所示。
图2 MOSFET驱动和门极放电回路规划
图2所展现的这一MOSET驱动和门极放电回路结构中，这种电路主要被用于图1所展现的上端开关管的驱动，因为上端MOSFET的源极接滤波器和下端开关管无法接地而处于悬浮状况，需求同步的自举电路来抬升门极驱动电压，特别是履行导通动作时，源极逐步上升的电位迫使其他同处一平面接入点的如Q2集电极电位上抬，使GS间的压差削减形成驱动失利。上图中，二极管D1和CBOOT组成自举电路：下端开光管导通时D1导通，CBOOT充电至输入电压。下端关断时，上端源极电位逐步上升，D2关断，电容上端的电压也随之上升，这样完成了自举功用。
