PROM是可编程器材，主流产品是选用双层栅(二层poly)结构，其中有EPROM和EEPROM等，作业原理大体相同，首要结构如图所示：
浮栅中没有电子注入时，在操控栅加电压时，浮栅中的电子跑到上层，基层呈现空穴。因为感应，便会招引电子，并敞开沟道。假如浮栅中有电子的注时，即加大的管子的阈值电压，沟道处于封闭状况。这样就达到了开关功用。
如图2所示，这是EPROM的写入进程，在漏极加高压，电子从源极流向漏极沟道充沛敞开。在高压的效果下，电子的拉力加强，能量使电子的温度极度上升，变为热电子(hot electron)。这种电子简直不受原子的振荡效果引起的散射，在受操控栅的施加的高压时，热电子使能跃过SiO2的势垒，注入到浮栅中。在没有其他外力的情况下，电子会很好的保持着。在需求消去电子时，使用紫外线进行照耀，给电子满足的能量，逃逸出浮栅。
EEPROM的写入进程，是使用了地道效应，即能量小于能量势垒的电子可以穿越势垒抵达另一边。量子力学以为物理尺度与电子自在程相其时，电子将呈现波动性,这儿便是标明物体要满足的小。就pn结来看，当p和n的杂质浓度抵达必定水平常，而且空间电荷极少时，电子就会因地道效应导游带搬迁。电子的能量处于某个等级答应级其他规模称为“带”，较低的能带称为价带，较高的能带称为导带。电子抵达较高的导带时就可以在原子间自在的运动，这种运动便是电流。
EEPROM写入进程，如图3所示，依据地道效应，围住浮栅的SiO2，有必要极薄以下降势垒。源漏极接地，处于导通状况。在操控栅上施加高于阈值电压的高压，以削减电场效果，招引电子穿越。
要抵达消去电子的要求，EEPROM也是经过地道效应达到的。如图4所示，在漏极加高压，操控栅为0V,翻转拉力方向，将电子从浮栅中拉出。这个动作，假如操控欠好，会呈现过消去的成果。
