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MEMS技能对半导体职业的影响

MEMS技术对半导体行业的影响-MEMS技术是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路发展起来的一门新技术,经过几代科学家的努力,MEMS如今在不同的行业和不同的领域相继规模化生产,展现了微机电系统及其微系统的巨大应用前景。

  MEMS技能是跟着集成电路,尤其是超大规模集成电路开展起来的一门新技能,通过几代科学家的尽力,MEMS现在在不同的职业和不同的范畴相继规模化出产,展示了微机电体系及其微体系的巨大使用远景。

  MEMS技能被誉为21世纪具有革命性的高新技能,也被称为颠覆性技能之一。其诞生和开展是“需求牵引”和“技能推进”的归纳成果,更是一部恢宏雄壮的技能演化史,蕴涵了历代科技前驱们的智慧结晶。所以,传感器专家网整理了MEMS技能开展史上的关键时刻。

  1947年,美国贝尔试验室创造点接触式双极性晶体管,现代半导体工业自此诞生,信息年代就此敞开。晶体管可以说是20世纪最重要的创造,距今已经有70多年了。

  1954年,C.S史密斯发现了硅锗的压阻效应(当遭到应力效果时电阻率发生变化.这种因为外力的效果而使资料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”)。许多MEMS压力传感器利用了这一特性,尔后,压力传感器初步商业化。

  1958年9月12日,JackKilby严重地将十伏电压接在了输入端,再将一个示波器连在了输出端,接通的一刹那,示波器上呈现了频率为1.2兆赫兹,振幅为0.2伏的震动波形。现代电子工业的第一个用单一资料制成的集成电路诞生了。一周后,JackKilby用相同的办法成功地做出了一个触发电路。JackKilby的试验告知人们,将各种电子器材集成在一个晶片上是可行的,世界从此进入了集成电路年代。

  1959年,美国物理学家理查·费曼宣布名为《底部有满足的空间》的讲演,他对纳米技能提出了预言,且极大地推进了微纳技能(NEMS)的研讨。

  1962年,细小器材的前驱——第一个硅微压力传感器面世,创始了MEMS技能的先河。它的特征是用硅膜、压敏电阻和体硅腐蚀。它是MEMS微传感器的起始点,一起也是MEMS体加工(bulkmicromachining)的起始点。

  1967年,美国西屋研讨试验室Nathanson等人报导了硅谐振栅晶体管。它的特征是用静电鼓励起栅振荡,它是MEMS履行器的起始点。

  1968年,硅谐振栅晶体管(RGT)获得专利,这是最早的微静电履行器,也是最早的外表微加工技能。

  1971年,英特尔公司的费金工程师制造出了世界上第一只商品化的CPU微处理器:Intel4004,它被称为“超大规模集成电路”,创始了微型计算机的新年代。

  1978年,美国IBM的Bassous等人报导了硅微喷嘴。它是MEMS微结构的起点。

  1979年,惠普公司创造了世界第一个MEMS喷墨打印头,MEMS技能初步用于制造喷嘴。

  1982年,X光LIGA光刻技能被发布,可开发深邃宽比,高精度的2D、3D微结构件及微体系。

  1986年,根据MEMS的原子力显微镜(AFM)技能诞生,极大地促进了外表微纳技能的开展。

  1987~1988年间,一系列关于微机械和微动力学的技能会议举行,MEMS一词在这些会议中被广泛选用并逐步成为一个世界性的学术用语。1987年美国伯克利加州大学创造了微马达,引起世界学术界的颤动,人们看到了电路与履行部件集成制造的可能性。1988年美国的一批闻名科学家提出“小机器、大机会”,并呼吁美国注重这一严重范畴的开发。

  1992年,MEMS光栅光调制器面世,广泛使用于显现技能,图画印刷,平板印刷和光通讯中。

  1993年,多用户同享MEMS工艺(MUMPS)呈现,人们初步研讨MEMS的规范工艺。一起,美国ADI公司选用MEMS技能成功完成微型加速度计的商品化,大批量使用于轿车防撞气囊,标志着MEMS技能工业化的初步。

  1994年,博世创造硅深邃宽比加工的深度反应离子刻蚀工艺(DRIE),成为了MEMS的干流工艺。尔后,MEMS技能开展迅速,特别是环绕深槽刻蚀技能开展出多种新式加工工艺。

  2000年,MEMS高速开展,光学、声学、生物等范畴呈现了五花八门的微器材,MEMS光学传感器迸发。

  尔后,MEMS工艺不断获得发展,商业化浪潮也越发汹涌~

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