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Peregrine推PE42722和两种Global 1,促射频器材整合

基于UltraCMOS的智能整合技术是Peregrine的独门秘籍。

  在进入主题之前,请让咱们先知道几款Peregrine半导体公司的新产品:高线性度射频开关PE42722和两种新的Global 1集成产品,即真实的直流开关PE42020和X波段中心芯片PE82670,这三种产品都运用PeregrineUltraCMOS技能。Peregrine公司营销副总裁Duncan Pilgrim指出,这些产品傍边,根据UltraCMOS的智能整合技能是Peregrine的独门秘籍。

  下面进入咱们的主题,那就是Peregrine的UltraCMOS技能为上述产品的要害体系带来高集成性,且具有更高功用、高可靠性与小体积。

  Duncan Pilgrim介绍,Peregrine是射频SOI(绝缘体上硅)技能和先进的射频处理方案的开创人和前驱,也是移动和模仿应用领域射频前端处理方案的抢先提供商。这其间,UltraCMOS技能的共同性为Peregrine做出了很大奉献。

  UltraCMOS技能的工艺非常共同,它是选用蓝宝石资料做衬底,在其上进行硅片涂覆生成。这种工艺对切开、打磨程序要求极高,蓝宝石切开的平整度和打磨会对芯片产品的良率带来很大影响。而根据UltraCMOS技能的器材,也有着与生俱来的优势:阻隔性好,线性度高和集成度以及稳定性更高。

  有了这种工艺,传统微波规划中所不能完成的功用有了完成的或许,且功用与整合度可大大提高。为了下降体系本钱和电路面积,传统上选用的GaAs器材,因为只能做射频器材,不能做数字电路,因而,只能将模仿和数字两个部分的模块集成在一个封装傍边,成品率下降,且本钱高,器材体积大。选用根据UltraCMOS技能后,则可将数字、模仿与射频器材集成到一个单芯片中,体积大大减小,且线性度好、抗干扰能力强。

  根据UltraCMOS技能,PE42722的频率规模为5-1,794 MHz,它支撑的均匀输入功率大于65 dBmV。开关的插入损耗很小(在1218 MHz时为0.3 dB),保存噪声系数和接纳灵敏度不变,具有超卓的信号质量,一起阻隔功用很好,在612 MHz时到达40dB。PE42722耗费的电流很小,只要130μA,支撑+1.8V和+3.3 V逻辑信号,作业电压规模宽,为2.3 V〜5.5 V,一切引脚的静电放电维护高达1.5 kV。

  PE42722高线性开关的推出标志着上行/下行双频段初次能够做在同一台CPE设备中。为了便利基础设施过渡到更高的速度,并且不需替换有线客户端设备,高线性开关器材有必要非常灵敏,以便习惯多个上行/下行频段的规则。这就需要在滤波器之前树立一个双频段架构,然后完成直接在有线调制解调器(CM)连接器的方位装置一个射频开关就能够完成向DOCSIS3.1有线行业规范的过渡。因为支撑DOCSIS3.0和DOCSIS3.03.1的开关,客户端设备能够简略并经济有效地过渡到DOCSIS3.1规范,多事务运营商也将从中获益。

  相同,在工艺技能支撑下,PE42020在一块芯片上整合了多种功用:射频高功用开关、模仿直流盯梢,以及数字操控逻辑和阻抗操控(50欧姆吸收或开路反射阻抗)。传统上,直流开关是用继电器和MEMS完成。继电器体积较大,且开关次数受到限制,而MEMS本钱较高。

  PE42020的频率规模很宽,从0 Hz到8000 MHz都能有效地作业,在频谱的这一部份,在曾经是做不到的。真实的直流单刀双掷开关能够处理很大功率,在0 Hz时能处理 30 dBm的功率,在8 GHz时能处理36 dBm的功率,并且,从直流到8000 MHz,它的射频功用和线性度都很好。此外,它能够切换+10 V到-10 V这个规模的直流电压和沟通峰值电压,电流高达80 mA,在这类产品中,这是第一个。

  PE42020的线性度(IIP3)极好,为63 dBm,端口至端口的阻隔功用也很好,在6 GHz时是37dB。它支撑+1.8V和+3.3 V的规范操控逻辑信号,作业温度规模为-40℃至+85℃。真实的直流开关还能够接受人体模型静电放电电压1000V。

  因而,PE42020未来将可在测验和丈量商场中替代机械继电器和MEMS开关,且尺度更小,客户的规划愈加简略简单。

  对X波段CMOS中心芯片PE82670,UltraCMOS技能更突显重要。PE82670运用了MMIC(单片微波集成电路)规划技能,完成高精度信号操控,而功耗极小。在这款产品中,Peregrine把规范的CMOS规划与被迫的单片电路结合起来,经过真实的智能整合技能,这个高功用的X波段中心芯片把以下功用整合在一块芯片上: 一个七位数字移相器;一个七位数字步进衰减器;阻隔功用极好的信号途径切换功用;一个紧凑的数字串行接口操控,真实与CMOS兼容。

  这与传统上的做法有很大不同。传统上的X波段中心芯片是由GaAs放大器与移相器、GaAs开关及CMOS串并行转换器等离散器材拼在一起完成,体积很大。

  PE82670的改进仍然得益于UltraCMOS技能。对MMIC规划技能,如Lange耦合器,只要III-V族技能运用。因为硅片在较高频率的损耗特性,在硅片上运用这些被迫技能一向遇到应战。UltraCMOS蓝宝石衬底处理了这个问题──UltraCMOS蓝宝石衬底是近乎完美的绝缘基片,天然生成适用于集成整合。

  除此之外,UltraCMOS还促进许多其他“辅佐”功用的整合,如将电压调节器、串行外设接口等进行整合。

UltraCMOS还促进许多其他“辅佐”功用的整合

  Duncan Pilgrim泄漏,现在Peregrine正和GLOBALFOUNDARIES协作研制第十代UltraCMOS技能,新的技能将进一步推进未来的微波元件整合。

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