很少人会想到 NAND快闪记忆体现已快要消失在地平线上、即将被某种新技能替代，笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于快闪记忆体贮存体系的电话会议，听到不少贮存体系专家企图把对话导引到IBM鄙人一代记忆体技能的规划上，所以很惊奇地发现这些人竟然都以为 NAND快闪记忆体很快就会被新记忆体技能替代。
笔者在上一年7月的HotChips大会上从前做过一场简报，指出快闪记忆体在未来十年将会是干流记忆体技能;而现在该工业才刚进入SanDisk所说的「1Ynm」代代，接着还将迈入「1Znm」代代。SanDisk以为，在「1Znm」之后，平面记忆体将式微，咱们将进入3D记忆体的年代;其他 NAND快闪记忆体制作大厂也有相似的猜想。
不过有鉴于这个工业的运作形式，在「1Znm」代代之后，若呈现另一条连续平面记忆体生命的新途径也家常便饭;因而假如以每个记忆体代代两年生命周期来核算，平面快闪记忆体应该还能存活4~6年。在那之后，咱们则将会具有3D NAND快闪记忆体技能。
尽管三星(Samsung)在上一年8月宣告开端量产3D结构的V-NAND快闪记忆体，但该产品的稀有性意味着它还没准备好替代平面记忆体的位置;笔者猜想，3D记忆体技能到2017年曾经应该都还不会真实的大量生产。
今天大多数厂商都预期3D记忆体在式微之前也会阅历三个代代，因而相同以两年一个代代来核算，NAND快闪记忆体技能应该在4~6年之后，还会有别的一个6年的生命;所以在记忆体工业真的需求新技能来驱动产品价格下降那时，应该现已是10~12年之后了。
我的意思并不是其他记忆体技能有什么不对，仅仅现在没有有满足的力气让它们的价格能比 NAND快闪记忆体更低价;并且在 NAND快闪记忆体抵达制程微缩极限之前，也没有其他的动能能够改动现在的情况。无论如何，要到达最低的本钱、总是要有最大的产值，NAND快闪记忆体与 DRAM现在便是比其他任何一种记忆体技能更廉价的计划。
