长时刻可靠性的问题，比方电子搬迁(EM)失效机制，向来归于晶圆厂的处理范畴。但随着纳米规划中可靠性完结的更加困难，对规划人员而言，不能再把问题扔给制作甩手不管了。规划范畴也有必要做出尽力以取得更具有鲁棒性的地图。
电流密度过高导致金属原子逐步置换，这时就会发生电子搬迁问题。当很长时刻内涵同一个方向有过多电流流过期，在互连线上会开端构成空泛(Void，原子耗尽时呈现)和小丘(hillock，原子积累时发生)。足够多的原子被置换后，会发生断路或短路。当小丘触及附近的互连线时，短路呈现，然后引起芯片失效。
削减电子搬迁的办法之一是提取互连的寄生阻抗，并把它输入到一个仿真东西中，核算流经每根金属线的电流。运用互连每一部分的宽度信息，就有或许核算电流密度并由低到高进行分类。然后生成一个五颜六色图掩盖在地图上，由此标示出电流密度最高的各个区域。
首要处理电流密度最高的区域，能够加宽互连金属线，添加通孔，下降电流密度。
一旦对地图做了批改，规划人员能够再进行一次寄生阻抗提取，从头仿真成果。经过这种办法，应该能够看到形成电子搬迁的电流密度有所下降。
应该：
1.履行EM剖析，承认存在EM问题的金属线。在最终地图上履行寄生阻抗提取，再把寄生阻抗值，以及该部分的宽度和方位等信息输入到一个仿真东西中。仿真生成一个电流密度图，掩盖在开始的地图上。
2.履行寄生阻抗提取时，考虑到金属宽度的改动。许多晶圆厂都供给寄生阻抗提取时的这种改动的建模机制。
3.考虑到提取时的厚度改动。金属厚度的改动会引起寄生阻抗值的改动，故有必要考虑在内。
4.履行仿真，核算整个芯片地图的电流密度。对每一层，确认电流密度阈值，以便取得对运用产品来说可接受的均匀失效时刻。
5.加宽电流密度过高的金属线。
6.在地图上进行通孔双置(VIA doubling)以削减寄生阻抗，然后减小电流密度。
7.从头履行寄生阻抗提取、仿真和可视化，以调查地图批改是否已下降了最严峻区域的电流密度。假如地图批改已把电流密度降至一个可接受的程度，规划就算完结了。
图1：加宽金属线和添加过孔以下降电流密度
不应该：
1.遗失EM剖析的履行。若未经检测，会引起功能下降，今后或许导致芯片失效。
2.把金属填充使命扔给晶圆厂做。金属填充很重要，能够进步规划的平面性，并且，假如正确完结的话，还能够把厚度改动降至最小。
3.履行无厚度和宽度改动的寄生阻抗提取。这会让提取发生过错，导致电流密度核算的过错。
4.在添加金属填料之前就经过厚度核算履行寄生提取。正确的过程是首要刺进金属填料，再改动宽度和厚度来履行提取。
5.不选用通孔双置。因为应力搬迁(Stress migration)或许导致通孔中堆积的金属更少，这会增大不良通孔中的阻抗，使电流密度更高。
6.运用平整仿真引擎(flat simulation engine)。运用分层架构将大幅度改进仿真时刻，削减内存运用。
7.核算电流密度时疏忽晶体管效应。因为流经一个网格的电流量取决于寄生参数及相关元件，故在履行EM剖析时进行晶体管级的仿真是很重要的。
