许多工业和轿车运用中都运用了同步降压转化器电源拓扑结构；此类运用还要求具有低传导放射和辐射放射特性，以保证电源不会搅扰共用同一条总线的其它设备（输入电压 ［VIN］）。例如，在轿车信息文娱体系中，电子搅扰（EMI） 会在轿车立体音响中宣布挠人的噪音。
图1显现了同步降压转化器的原理图以及其开关节点波形。高侧MOSFET的开关速度和高侧/低侧MOSFET与印刷电路板（PCB）杂散电感和电容都具有在开关节点波形到达峰值时振铃的功用。而咱们不需求开关节点波形振铃，由于它会增大低侧MOSFET的电压应力，并发生电磁搅扰。
图1：同步降压转化器
为了确认图1中降压转化器的开关节点振铃与其所发生电磁搅扰之间的联系，我依照国家无线电搅扰特别委员会（CISPR） 25 Class 5的规则进行了传导放射测验。图2显现了测验的成果。测得的数据显现：在30MHz-108MHz的频率范围内，降压转化器的传导放射值比Class 5约束高出了15dBµV。
图2：CISPR 25 Class 5， 30MHz-108MHz，降压转化器 VIN = 12V， VOUT = 3.3V， IOUT= 5A
要下降电磁辐射，首要要下降开关节点的振铃噪声。有以下几种办法：首要减缓MOSFET的接通和封闭时刻，然后操控开关节点的上升和下降时刻。在串联电阻器（RHO与RLO）上加装MOSFET的栅极引线即可完成该功用；参见图3。第二步是在开关节点与接地之间加装一个缓冲器（RSUB与CSUB）。缓冲器电路能够在转化过渡期间按捺寄生电感和%&&&&&%。
图3：接通和封闭电路
除运用上述办法来下降开关节点振铃噪音外，还有另一种办法，便是运用LM5140-Q1契合轿车运用要求的同步降压操控器。LM5140-Q1的一大重要特性是转化速率操控。经过引出驱动器的源侧和接纳侧引线，能够独立操控高/低侧MOSFET的接通和封闭时刻。
在低侧MOSFET封闭和高侧顶部MOSFET接通期间，开关节点电压从接地升至VIN。假如高侧顶部MOSFET接经过快，则在过渡时开关节点电压会过冲。增大RHO电阻能够下降高侧MOSFET的驱动电流，减缓该MOSFET的接通时刻，一起有助于下降开关节点振铃噪音。留意：减慢高侧MOSFET的封闭时刻会增大开关损耗。在低电磁辐射和高侧MOSFET的开关损耗之间选用RHO时，需求做一个权衡折衷。
低侧MOSFET损耗包含RDS（ON）损耗、空载时刻损耗和MOSFET内部体二极管的损耗。空载（高/低侧MOSFET均处于封闭状况）时，低侧MOSFET的内部体二极管可传导感应器电流。一般情况下，MOSFET的内部体二极管都有较高的正向电压降，因而其功率会大幅下降。而缩短低侧MOSFET内部体二极管传导电流的时刻能够进步功率。
运用转化速率操控能够在LM5140-Q1驱动器输出（LO引脚）和低侧MOSFET栅极之间刺进一个电阻器（ROL），用来延伸低侧MOSFET封闭所需的时刻。减慢封闭时刻能够削减低侧和高侧MOSFET传导的空载时刻，进步降压转化器的功率。缩短同步降压的空载时刻时，切勿一起传导高侧和低侧MOSFET。
图4：降压转化器开关节点波形和转化速率操控
我运用LM5140-Q1操控器（参见图4）改装了图1所示的电源。运用转化速率操控优化开关节点的上升和下降时刻，消除了开关节点的振铃噪音。
下一步是进行CISPR 25 Class 5传导放射。我选用了以下转化速率操控电阻器值：RHO = 10?， RHOL = 0?， RLO = 10? 和 RLOL= 10?。挑选用于此运用的电阻器关于输入功率低于50W的任何运用来说都是一个很好的起点。
图5显现了传导放射测验的成果和总结。
图5：转化速率操控比较：CISPR 25 Class 5， VIN = 12V， VOUT = 3.3V， IOUT = 5A，无转化速率操控（a）和有转化速率操控（b）
降压转化器凭借LM5140-Q1和转化速率操控将传导放射下降了21dBµV。此外还增强了对开关节点上升和下降的操控，一起无需运用缓冲电路，下降了电路的复杂性和本钱。
挑选出转化速率操控电阻器的正确值，不只能够下降电磁辐射，还能一起进步体系的功率。
