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IR芯片在步进电机驱动体系的使用

电动机应用的日益广泛,使其驱动控制的研究也越来越成为人们研究的热点。随着功率VMOS器件以及绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的广泛运用,…

  电动机运用的日益广泛,使其驱动操控的研讨也越来越成为人们研讨的热门。跟着功率VMOS器材以及绝缘双极晶体管(IGBT)器材的广泛运用,更多场合运用VMOS器材或IGBT器材组成桥式电路,例如开关电源半桥变换器或全桥变换器、直流无刷电机的桥式驱动电路、步进电机驱动电路,以及逆变器的逆变电路。IR(Inter—national Rectifier)公司供给了多种桥式驱动集成电路芯片,本文介绍了IR21844功率驱动集成芯片在直流无刷电机的桥式驱动电路中的运用。该芯片是一种双通道、栅极驱动、高压高速功率器材的单片式集成驱动模块,在芯片中选用了高度集成的电平转化技能,大大简化了逻辑电路对功率器材的操控要求,一起进步了驱动电路的可靠性。尤其是上管选用外部自举电容上电,使得驱动电源数目较其他IC驱动大大削减。关于典型的6管构成的$三相桥式逆变器,选用3片IR21844驱动3个桥臂,仅需1路10~20 V电源。这样,在工程上大大削减了操控变压器的体积和电源数目,降低了产品成本,进步了体系可靠性。

  1 IR21844主要特色及技能参数

  IR21844集成驱动芯片与现在运用的集成驱动芯片比较,具有以下特色:

  ·   该芯片为规范14引脚单片式结构,图1为其引脚分布图;

  ·   设有悬浮截获电源可自举运转,其高端作业电压最高达600 V,抗du/dt搅扰才能为50 V/ns,15 V时静态功耗为1.6 W;

  ·   输出栅极驱动电压规模较宽,为10~20 V;

  ·   IR21844选用CMOS工艺制造,逻辑电路和功率电路共用一个电源,电压规模为10~20 V,习惯TTL或CMOS逻辑信号输入;

  ·   选用CMOS施密特触发输入,以进步电路抗搅扰才能;

  ·   具有独立的高端和低端2个输出通道,两路通道均带有滞后欠压确认功用;

  ·   容许逻辑电路参阅地(VSS)与功率电路参阅地(COM)之间有一5~+5 V的偏移量;

  ·   死区时刻可调。

  图1中,引脚1(IN)是逻辑输入操控端;引脚6和12是2路独立的输出,别离是L0(低端输出)和H0(高端输出);引脚7和13别离是VCC(低端电源电压)和VB(高端浮置电源电压);引脚5(COM)是低端电源公共端;引脚11和3别离是VS(高端浮置电源公共端)和VSS(逻辑电路接地端);引脚2(SD)是输出封闭操控端;引脚4(DT)是可调的死区时刻输入端。

  

  其引荐典型作业参数如表1所列,动态传输延迟时刻参数如表2所列。

  

  

  2 典型运用电路

  图2为IR21844的典型运用电路。Vcc接电源端,为逻辑部件和功率器材供电;IN端接输入操控信号,一般接PWM信号;输出端HO和LO的波形别离与IN端输入波形逻辑相同和相反,幅值有必定的扩大(10~20 V),输入/输出时序图如图3所示;SD端接低电平时,H0和LO正常输出,接高电平时,2个输出端被封闭;DT为死区时刻调整端,因为桥式电路同一桥路的上下管不能一起导通,不然会形成管子短路,因而需求一个死区时刻。因为H0和LO的输出逻辑相反,所以从逻辑上来说,不会形成直通,但是在换向的瞬间仍有或许形成直通。可在DT端外接一个电阻Rdt,经过调整该电阻的阻值就能够调理死区时刻;一起,注册延时时刻为680 ns,大于关断延时时刻的270 ns,然后避免桥路的直通,死区时刻典型值为5μs(如表2所列)。

  

  

  图2中,C2为自举电容。在T2导通、T1关断期间,VCC经D1、C1、负载、T2给C1充电,以保证当T2关断、T1导通时,T1管的栅极靠Cl上满意的储能来驱动。这便是高端的自举供电。若负载阻抗较大,C2经负载降压充电较慢,使得T2关断、T1导通,C2上的电压仍充电不到自举电压8.3 V以上,那么输出驱动信号会因欠压被片内逻辑封闭,T1就无法正常作业。为此,C2的挑选就显得很重要,一般用1个大电容和1个小电容并联运用,在频率为20 kHz左右的作业状态下,选用1.0μF和0.1μF电容并联。并联高频小电容用来吸收高频毛刺搅扰电压。驱动大容量的IGBT时,在作业频率较低的情况下,要注意自举电容电压安稳性问题,上管的驱动波形峰顶假如呈现下降的现象,则要选取大的电容

  明显每个周期T1开关一次,C2就经过T2开关充电一次,因而自举电容C2的充电还与输入信号IN的PWM脉冲频率和脉冲宽度有关。当PWM作业频率过低时,若T1导通脉宽较窄,自举电压8.3 V简略满意;反之,无法完成自举。因而,要合理设置PWM开关频率和占空比调理规模,C2的容量挑选考虑如下几点:

  ①PWM开关频率高,C2应选小电容

  ②尽量使自举上电回路不经大阻抗负载,不然应为C2充电供给快速充电通路。

  ③关于占空比调理较大的场合,特别是在高占空比时,T2导通时刻较短,C2应选小电容。不然,在有限时刻内无法到达自举电压。

  ④C2的挑选应归纳考虑PWM改变的各种情况,监测H()、VS脚波形进行调试是最好的办法。

  依据表1,VB高于VS电压的最大值为20 V,为了避免VB过电压损坏IR21844,电路中添加了稳压二极管D1。电路中D2的功用是避免T1导通时高电压串入VCC端损坏该芯片,因而其耐压值有必要高于总线峰值电压,故选用功耗小的快康复二极管。与VCC端相连的电容C3是去耦电容,用于补偿电源线的电感。

  3 场效应管驱动电路的改善

  如图2所示,典型运用电路是由IR21844驱动2个N沟道MOSFET管或IGBT组成的半桥驱动电路。固定的栅极参阅输出通道(L0)用于下端衔接的功率场效应管T2,起浮的栅极输出通道(HO)用于上端衔接的功率场效应管T1。

  以驱动N沟道MOSFET管为例来介绍。功率MOS—FET是电压型驱动器材,没有少量载流子的存储效应,输入阻抗高,因而开关速度能够很高,驱动功率小,电路简略。但功率MOSFET的极间电容较大,其等效电路如图4所示。

  

  输入电容Ciss、输出电容Coss和反应电容Crss与极间电容的联系可表示为:

  IR21844不能发生负偏压,假如用于驱动桥式电路,因为极间电容的存在,在注册和关断时刻,栅漏极间的电容CGD有充放电电流,简略在栅极上发生搅扰。针对这一缺乏,能够在栅极限流电阻(R1和R2)上别离反并联一个二极管(D3和D4)来处理,该二极管能够加速极间%&&&&&%上的电荷的放电速度。

  功率器材的栅源极的驱动电压一般为CM()S电平(5~20 V),因而要在栅极添加维护电路。电路中稳压二极管D5、D6约束了所加栅极电压,电阻R1、R2进行分压,一起也降低了栅极电压。

  功率器材T1、T2在开关进程中会发生浪涌电压,这些浪涌电压会损坏元件,所以电路中选用稳压二极管D5、D6钳位浪涌电压。

  4 扩展与总结

  以上介绍的是IR21844用于驱动单相电路时的用法和注意事项,相同,该芯片完全能够用于驱动两相、三相或许多相电路。可将该电路进行仿制,当然一些参数的确认还需求依照本文的剖析和详细的实际情况而定。

  因为该芯片只要一路输入,两路互补输出,十分合适用于驱动桥式电路;而且它的死区时刻能够灵敏调理,输出确认端能够灵敏用于电流的闭环操控,给操控的没计带来了很大的便利,因而在中小型功率范畴运用比较广泛。

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