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安森美用于电信及医疗电源等反激升压稳压器

如今,电信及网络等应用中广泛采用分布式电源架构,使电源供应尽可能地贴近负载,从而为系统中的不同负载供电,并提供更高的可靠性、灵活性及散热性能。安森美半导体为这些应用提供宽广范围的分布式电源方案,其中既

现在,电信及网络等运用中广泛选用分布式电源架构,使电源供给尽或许地靠近负载,从而为体系中的不同负载供电,并供给更高的牢靠性、灵活性及散热功用。安森美半导体为这些运用供给广大规模的分布式电源计划,其间既包含阻隔型计划,也包含非阻隔计划。

本文要点介绍安森美半导体新推出的集成200 V功率晶体管和高压发动电路的阻隔型反激/升压稳压器NCP1032。NCP1032是小型化PWM开关稳压器,用于反激、正激或升压类电压转化电路。它集成了200 V功率MOSEFT管以及高压发动电路;外部可调开关频率最高可到1 MHz,开关频率可外同步。其它要害特性包含+/-1%的参阅电压精度、逐波限流点外部可调、可调的输入欠压和过压维护、毛病状态下频率回缩、集成电流采样前沿消隐电路和过热维护等。NCP1032十分适合于24 V/48 V电信电源运用,也可用于医疗体系阻隔电源、以太网供电(PoE)、阻隔型DC-DC转化器次级端偏置电源、独立式低功率DC-DC转化器、低功率偏置电源、低功率升压转化器等运用。

NCP1032首要功用

1)高压发动电路和动态自供电

NCP1032内部集成200 V电流源,当VDRAIN电压上升超越16.3 V时,电流源开端输出12.5 mA的电流,对Vcc上的电容充电,Vcc电容充到10.5 V时电流源关断;当Vcc电压降到7.55 V时内部电流源再注册对Vcc电容再次充电。Vcc电容上的电压能够保持芯片正常作业;高压发动和动态自供电电路省去了外部辅佐电源电路,节省了本钱和面积。

在大多数情况下,用户都期望下降芯片自供电发生的功耗,这能够经过从变压器的辅佐绕组上取电来处理。Vcc上升到10.5 V时,芯片能够正常发动,只需辅佐绕组上发生的电压能够保持Vcc在7.55 V以上,就能够避免内部高压电流源接通,从而降低功耗,这时芯片正常运转;在输出短路或过载状态下,Vcc有或许下降到6.95 V以下,这时功率管关断,芯片会进入复位发动形式,高压电流源会注册对Vcc电容充电,Vcc上升到10.2 V时输出会重新发动。而在输出过载时,Vcc在6.95 V以上时不会进入复位发动形式。图1是高压发动电路。

图1:NCP1032的高压发动电路

发动结束时,NCP1032会有1 V的过冲,假如想减小软发动结束时的过冲电压,就要使COMP脚电压从4.2V到稳态值之间的转化时刻尽或许缩短,也就是说要加速补偿呼应速度,见图2。

图2:NCP1032的过冲

在较高频率时,输入功率会跟从输入电压线性上升,这首要是因为NCP1032的限流前沿消隐电路(LEB)及传达推迟会使芯片至少有100ns导通时刻,在作业频率比较高的情况下,100ns的占空比时刻有点大,会呈现位移,输入传递的功率也会比较大,形成高频时的短路维护的功率有所添加。

NCP1032的限流设定包含前沿消隐电路,功率管的峰值电流用外部电阻进行设定,图3左面是外部电阻设定电流值曲线。

图3:限流设定

2)软发动

NCP1032内部集成的软发动电路可下降发动进程中功率管上的电压应力和变压器上的峰值电流。当Vcc上升到10.5 V,欠压维护开释后,芯片进入软发动进程。在软发动进程中,COMP电压被箝位在4.2 V,功率管的峰值电流从57 mA开端逐一周期添加,直到电流上升到限流设定点后或COMP脚电压下降到3.5 V时,输出电压进入批改阶段。

在软发动进程中,假如功率管电流上升到限流点之前输出电压上升到安稳值,COMP脚电压会下降3.5 V以下,则功率管电流不会上升到设定值。假如功率管电流上升到限流点后,输出电压还没有上升到设定值,则功率管电流会限定在限流设定值,不会再添加。软发动时刻和输入电压、负载巨细和输出电容容量相关,如图4(左图和右图的时刻刻度是不同的)。

图4:软发动时刻和输入电压、负载巨细和输出电容容量的联系

3)过压(OV)和欠压(UV)维护

NCP1032有过压/欠压管脚,用于输入电压的过压/欠压维护,管脚6电压低于1 V或高于2.4 V时,NCP1032功率管会关断,芯片经过内部高压电流源进行动态自供电,直到过压/欠压开释停止。欠压维护和过压维护别离有70mV和158mV的迟滞。NPC1032两个版别中,NCP1032B只要欠压,没有过压维护功用。图5是过压维护、欠压维护的设定办法及作业方式。

图5:过压维护、欠压维护的设定及作业

4)最大占空比和频率外同步

NCP1032内部振荡器规划能够支撑最高1 MHz的作业频率,作业频率设定与外部电容CT设定同步,芯片内部发生%&&&&&%充电的放电电流源,充电电流为172μA,放电电流为512μA,充放电时刻份额为1:3,充电电压峰值为3.5V,放电电压谷值为3V。

在放电进程中,功率管是关断的,因而该器材支撑的最大占空比被约束在75%以下。NCP1032支撑频率的外同步,CT设定的作业频率要比同步频率低25%,见图6。

图6:NCP1032最大占空比和作业频率

5)输入电压前馈

输入电压前馈使转化器能够快速呼应输入电压的改动,NCP1032经过CT脚也能够支撑输入电压前馈功用,如图7。前馈电阻的存在会改动最大占空比和作业频率。假如想将最大占空比设定在固定值,RFF能够接固定电压。

图7:电压前馈

6)最小占空比可跳周期

NCP1032内部的PWM比较器和锁存器延时时刻在200 ns以内,假如占空比小于200 ns,芯片会进入跳周期形式来确保输出电压安稳,但输出电压纹波或许会有添加。

NCP1032的典型运用

图8显现的是根据NCP1032的48 V到阻隔式12 V/3 W偏置电源电路。此电路经过辅佐绕组供电,一起在辅佐绕组上进行电压采样补偿。NCP1032配​​置在反激式拓扑结构中,并以不接连导电形式(DCM)作业,供给了一个低本钱、高功率的处理计划。变压器T1可选用CoilCraft B0226−EL,添加绕组能够支撑多路阻隔电压输出;CCT将开关频率设置为约300 kHz。详细的规划进程能够参阅安森美半导体的运用辅导AND8119。由R3和R4组成的电阻分压器设置欠压确定阈值约为32 V。如图9所示,在12 V运用中,在300 kHz不同输入电压条件下,NCP1032的输出的功率是不同的。

图8:48 V到阻隔式12 V/3 W偏置电源电路


图9:输出能效随输入电压改动

在布局主张方面,为了避免EMI问题,高频开关的大电流铜线应进行优化。因而,功率电流途径和电源地线,尤其是变压器的走线衔接(以次侧和二次侧)要运用短而宽的引线。图10是优化的PCB布局实例。

图10:优化的PCB布局实例

图11是NCP1032的另一个典型运用——没有辅佐绕组的48 V 至 12.0 V DC−DC转化器。

图11:没有辅佐绕组的48 V 至 12.0 V DC−DC转化器

为了协助用户充分发挥NCP1032的优势,安森美半导体还供给其它规划东西支撑,包含NCP1032评价板、NCP103x规划表格、运用辅导AND8119,以及Pspice仿真模型。在这些东西的支撑下,工程师能够简化规划进程,加速各种辅佐电源的上市时刻。

总结

安森美半导体为处理二次侧操控计划需求初级侧发动IC的问题,推出了集成200 V功率管和高压发动电路的反激/升压调整器NCP1032,它能够完成安稳牢靠的二次%&&&&&%供电,广泛用于PoE、-48 V通讯体系和太阳能逆变器等运用。

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