1 加大尺度法：
经过增大单颗LED的有用发光面积，和增大尺度后促使得流经TCL层的电流均匀分布而特别规划的电极结构(一般为梳状电极)之改动以求到达预期的光通量。可是，简略的增大发光面积无法处理底子的散热问题和出光问题，并不能到达预期的光通量和实践使用作用。
2 硅底板倒装法：
首要制备出具有适合共晶焊接电极的大尺度LED芯片(Flip Chip LED)。一起制备出相应尺度的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层(超声金丝球焊点)。然后，使用共晶焊接设备将大尺度LED芯片与硅底板焊接在一起。(这样的结构较为合理，即考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是现在干流的High Output Power Chip LED生产方式。)
美国LumiLeds公司2001年研发出了AlGaInN功率型倒装芯片(FCLED)结构，具体做法为：第一步，在外延片顶部的P型GaN：Mg淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆触摸和背反射;第二步，选用掩模挑选刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，显露N型层;第三步，淀积、刻蚀构成N型欧姆触摸层，芯片尺度为1&TImes;1mm2，P型欧姆触摸为正方形，N欧姆触摸以梳状刺进其间，这样可缩短电流扩展间隔，把扩展电阻降至最小;第四步，将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电维护二极管(ESD)的硅载体上。
3 蓝宝石衬底过渡法：
依照传统的InGaN芯片制作办法在蓝宝石衬底上生长出PN结后将蓝宝石衬底切除再衔接上传统的四元资料，制作出上下电极结构的大尺度蓝光LED芯片。
5AlGaInN/碳化硅(SiC)反面出光法：
美国Cree公司是选用SiC衬底制作AlGaInN超高亮度LED的全球仅有厂家，几年来AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。因为P型和N型电极别离仅次于芯片的底部和顶部，单引线键合，兼容性较好，使用方便，因此成为AlGaInN LED开展的另一干流。
4 陶瓷底板倒装法：
先使用LED晶片厂通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在上制作出共晶焊接导电层及引出导电层。之后使用共晶焊接设备将大尺度LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。(这样的结构考虑了出光问题也考虑到了散热问题，而且选用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热的作用十分抱负，价格又相对较低所认为现在较为适合的底板资料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了装置空间。
