上电后清空RAM是有必要要做的，因为上电后RAM中的数据处于不确定的状况，会给单片机的运算或许条件判别带来影响，所以是有必要有必要清空的。清空做的操作也不难，做成子程序后，在程序的开端调用一下就完事了，挺便利。下面分别是 EM78P156 , EM78P259/260 ,EM78P468 等有不同RAM数的单片机的清RAM操作。
编程的基本思维，依据白皮书（ELAN的官方阐明书，我们习气的叫法）R0是直接寻址，R4是RAM挑选，依据这两个的组合就能够完结操作。具体操作和阐明能够参阅白皮书。
hint： 依据我的了解，这儿其实能够很简单的，只需要知道，R4放的是寄存器的地址，R0是放对应的那个寄存器的数据，就OK了，例如
MOV A,@0X10
MOV R4,A
MOV A,@0X11
MOV R0,A
依据hint里边说的，R4放地址，看前两句，将 0x10移入R4，对了，表明地址，表明 0x10号寄存器，而后边将0x11移入R0，这个便是数据，放在什么地方？便是放在当时R4指向的寄存器里边，也便是说 0x10地址放的数据是 0x 11，或许开端看有点笼统，不过信任我，那是很简单的东西。
下面的程序都是依照这种思维来做的 EM78P156 的RAM从 0x10 ～ 0x3f ，假如153的话只要 0x2f，修正一下就行了，而259/260 468 的RAM比较多，ELAN 是以bank来处理的，也便是分页处理，所以在清空的时分切换一下bank就能够了，关于bank的操作，看白皮书，提到低便是对R4最高两位的操作罢了。
有问题的话欢迎回帖子，或许发我邮件 etual@163.com
当然假如有更好的思维，或许我的程序里边犯错误的话，十分欢迎我们指出，我们一起评论，一起学习和前进，鄙人不吝赐教。
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; 适用于 em78p156 & 153
; 假如Em78P153S 将 0x3f 改成 0x2f就能够了
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clear_all_ram:
mov a,@0x10 ; 开端地址
mov r4,a
clr_ram:
clr r0 ; 清空内容
inc r4 ; 地址加1
mov a,@0x3f ; 是否到达最大的地址 ，bank最大为0x3f
and a,r4
jbs psw,z
jmp clr_ram ; 是的话推出，不是的话持续循环
ret
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; 适用于 em78p259/260 等只要2个bank的mcu
; 先做一下宏界说,不同的mcu宏界说或许不同，留意修正一下
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;————————-macro definition————————–
bank0 macro
bc 0x04,6 ; R4 的第六位决定是bank0 仍是bank1
endm
;————————
bank1 macro
bs 0x04,6
endm
;———————-clear rams of all banks———————-
clear_all_ram:
mov a,@0x10
mov r4,a
bank0
call clr_ram
bank1
call clr_ram
ret
clr_ram:
clr r0
inc r4
mov a,@0x3f
and a,r4
jbs psw,z
jmp clr_ram
mov a,@0x10
mov r4,a
ret
;——————————————————————-
; 适用于 em78p468 4个bank , 并且自身有bank指令不必宏界说
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;———————-clear rams of all banks———————-
clear_all_ram:
mov a,@0x10
mov r4,a
bank 0
call clr_ram
bank 1
call clr_ram
bank 2
call clr_ram
bank 3
call clr_ram
jmp clr_ram_end
clr_ram:
clr r0
inc r4
mov a,@0x3f
and a,r4
jbs psw,z
jmp clr_ram
mov a,@0x10
mov r4,a
clr_ram_end:
ret
