ADRF5160SPST、SPDT、SP3T、SP4T、SP5T、SP6T、SP8T参数介绍及中文PDF下载

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产品概况

ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，选用无引线的外表装置式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施运用，例如长时间演进 (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率处理才能（长时间（>10 年）典型平均值 8 dB PAR LTE）、0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz 的低插入损耗、70 dBm 的输入 3 阶交调点 (IP3)（典型值）和 47 dBm 的 0.1 dB 紧缩点 (P0.1dB)。片内电路运用 5 V 的单一正电源作业，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5160 成为根据 Pin 二极管的开关的抱负代替计划。

ADRF5160 选用契合 RoHS 指令的紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。

运用

• 无线基础设施
• 军事和高可靠性运用
• 测验设备
• Pin 二极管代替计划

优势和特色

• 反射式 50 Ω 规划
• 低插入损耗：0.7 dB（典型值）至 2.0 GHz
• T_CASE = 105°C 下具有高功率处理才能
  • 长时间（>10 年）平均值
    • 接连波功率：43 dBm
    • 峰值功率：49 dBm
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：41 dBm
  • 单一事情（<10 秒）平均值
    • LTE 平均功率 (8 dB PAR)：44 dBm
• 高线性度
  • P0.1dB：47 dBm（典型值）
  • IP3：70 dBm（典型值）
• ESD 额定值
  • HBM：4 kV（3A 级）
  • CDM：1.25 kV
• 单一正电源：5 V
• 正操控，CMOS/TTL 兼容
• 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装

ADRF5160电路图

ADRF5160中文PDF下载地址

ADRF5160下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/adrf5160.pdf