咱们知道，大功率LED灯珠首要构成器材为大功率LED芯片，怎么制作高品质LED高功率晶片至关重要。今日慧聪LED屏网就带我们一起来了解常见的制作大功率LED芯片的办法有哪些：
1、加大尺度法
经过增大单体LED的有用发光面积和尺度，促进流经TCL层的电流均匀分布，以到达预期的光通量。可是，简略地增大发光面积无法处理散热问题和出光问题，并不能到达预期的光通量和实践使用作用。
2、硅底板倒装法
首要制备出适合共晶焊接的大尺度LED芯片，一起制备出相应尺度的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再使用共晶焊接设备将大尺度LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是现在干流的大功率LED的出产方式。
美国Lumileds公司于2001年研发出了AlGaInN功率型倒装芯片（FCLED）结构，其制作流程是：首要在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆触摸和背反射；再选用掩模挑选刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，显露N型层；经淀积、刻蚀构成N型欧姆触摸层，芯片尺度为1mm&TImes;1mm，P型欧姆触摸为正方形，N型欧姆触摸以梳状刺进其间，这样可缩短电流扩展间隔，把扩展电阻降至最小；然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电维护二极管（ESD）的硅载体上。
3、陶瓷底板倒装法
先使用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后使用共晶焊接设备将大尺度LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，而且选用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热作用十分抱负，价格又相对较低，所认为现在较为适合的底板资料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。
4、蓝宝石衬底过渡法
依照传统的InGaN芯片制作办法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再衔接上传统的四元资料，制作出上下电极结构的大尺度蓝光LED芯片。
5、AlGaInN碳化硅（SiC）反面出光法
美国Cree公司是全球仅有选用SiC衬底制作AlGaInN超高亮度LED的厂家，几年来其出产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。因为P型和N型电极别离坐落芯片的底部和顶部，选用单引线键合，兼容性较好，使用方便，因此成为AlGaInN LED开展的另一干流产品。
