霍尔传感器的电路图形符号如下图所示。
1．霍尔传感器的常用资料
霍尔传感器主要由霍尔元件构成。霍尔元件选用的资料有N型锗（Ge）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）、砷化镓（GaAs）及磷砷化铟（InAsP）等。各种资料制成的霍尔元件特性各异，InSb元件的输出信号较大，但受温度的影响也较大（但近期出产的新式霍尔元件，在-20℃～+80℃时，其温度系数低于0.002／C）；砷化铟元件及锗元件的输出不如锑化铟大，但温度系数小，线性也好；选用砷化镓的元件温度特性好，但价格较贵。
2．霍尔传感器的结构
前期的霍尔传感器元件由单晶薄片在两头焊上两根操控电流引线，另两头焊上两根输出引线，如下图（a）所示。
现在出产的霍尔传感器元件是选用外延及离子注入工艺、或者是选用溅射工艺制造出的产品，其尺度小，功能优秀，也使出产成本大大下降。图4-12（b）是由锑化铟为资料制成的霍尔传感器元件结构。它是由衬底、十字形溅射薄膜、引线（电极）及磁性体顶部（用来进步输出灵敏度）等部分构成的，选用陶瓷或塑料封装方法。
3．霍尔传感器类型
霍尔传感器元件输出的电动势很小，而且简单受温度的影响。跟着半导体工艺的不断发展，现在现已将霍尔元件、放大器、温度补偿电路以及稳压电源等制造在一个芯片上，一般称这种芯片为集成霍尔传感器，简称为霍尔传感器或霍尔集成电路。霍尔传感器一般分为线性型与开关型两大类。●线性型霍尔传感器的输出电压与外加磁场呈线性关系。
开关型霍尔传感器的输出类似于一只开关的接通与断开。
无论是线性型霍尔传感器仍是开关型霍尔传感器，它们的外形大都与一般的晶体三极管或8脚DIP封装的%&&&&&%十分相似，前者也选用3个引出脚方法。
