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LED芯片生产过程与MOCVD常识

本站为您提供的LED芯片生产过程与MOCVD知识,LED芯片产生前的LED外延片生长的基本原理,LED外延片的生产制作过程比较复杂,目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法。

LED外延片(外延片)

LED芯片产生前的LED外延片成长的根本原理是:在一块加热至恰当温度的衬底基片(首要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有操控的输送到衬底外表,成长出特定单晶薄膜。现在LED外延片成长技能首要选用有机金属化学气相堆积(MOCVD)办法。

MOCVD

金属有机物化学气相淀(Metal-OrganicChemicalVaporDeposiTIon,简称MOCVD),1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技能。该设备集精密机械、半导体资料、真空电子、流体力学、光学、化学、电脑多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技能集成度高的顶级光电子专用设备,首要用于GaN(氮化鎵)系半导体资料的外延成长和蓝色、绿色或紫外发光二极体芯片的制造,也是光电子职业最有发展前途的专用设备之一。

LED芯片的出产进程

LED外延片的出产制造进程比较复杂:

1.展完外延片后在每张外延片随意抽取九点做测验。符合要求的为良品,其他为不良品(电压误差很大,波长偏短或偏长等)。

2.良品的外延片要做电极(P极,N极)。接下来就用镭射切开外延片,然后100%分捡,依据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,构成LED芯片(方片)。

3.最终还要进行目测,把有缺点或许电极有磨损的分捡出来,这些便是后边的散晶。此刻在蓝膜上有不符合出货要求的芯片,这些就成了边片或毛片等。不良品的外延片,一般不用来做方片,就直接做电极(P极,N极),也不用做分检,这些便是现在市场上的LED大圆片。

外延片技能的成功需求具有以下三个条件:

1.对设备的准确把握。MOVCD由于各项本钱很高,保养周期以及配件的准备充分都很重要。

2.外延原理的把握,资料的成长需求具有物理、资料学和剖析技能三项根本功夫,能把握这些,资料的成长就可具有必定的才能。

3.锲而不舍的试验精力,外延成果需求恒心的等候,由于除了根本的剖析外,成果的调查与纪录,做成LED芯片成果的剖析,都需求耐性与恒心。

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