现在磁性传感器在轿车范畴使用中主要有霍尔效应，各项异性磁阻效应，巨磁阻效应以及穿遂磁阻效应。英飞凌是少量几个一起把握磁性感应技能并使用于产品中的半导体公司之一。
磁性传感器广泛使用于现代轿车中，如速度检测，视点检测，方位检测，电流检测等。依据磁性感应原理，可分为霍尔原理及磁阻原理。其间磁阻式依据原理又可分为常磁阻效应（Ordinary Magneto Resistance， OMR）、各项异性磁阻效应（Anisotropic Magneto Resistance，AMR）、巨磁阻效应（Giant Magneto Resistance，GMR）、超巨磁阻效应（Colossal Magneto Resistance，CMR）、穿遂磁阻效应（Tunnel Magneto Resistance，TMR）、巨磁阻抗效应（Giant Magneto impedance，GMI）以及特异磁阻效应（Extraordinary Magneto Resistance，EMR）等。
现在磁性传感器在轿车范畴使用中主要有霍尔效应，各项异性磁阻效应，巨磁阻效应以及穿遂磁阻效应。英飞凌是少量几个一起把握有以上磁性感应技能并使用于产品中的半导体公司之一。
比较于霍尔效应和各项异性磁阻效应，巨磁阻效应具有更好的活络度，更小的噪声以及气隙体现，十分合适轿车范畴中需求高精度以及较大作业气隙要求的使用。现在英飞凌巨磁阻系列传感器包括速度及视点使用
又称特大磁电阻，即GMR（Giant Magneto Resistance），GMR磁头是由4层导电资料和磁性资料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交流层。今日咱们就来了解一下的使用范畴。
巨磁阻传感器使用
01巨磁阻传感器使用于硬盘
巨磁阻效应的读出磁头，极大的进步了磁盘记载密度，极大进步了硬盘的容量，一起缩小了硬盘的体积。现在硬盘最大容量现已到达4TB，远远大于使用巨磁阻效应前的硬盘。
02巨磁电阻随机存取存储器（MRAM）
这是选用纳米制作技能，把沉积在基片上的SV-GMR薄膜或TMR薄膜制成图形阵列，构成存储单元，以相对两磁性层的平行磁化状况和反平行磁化 状况别离代表信息“1”和“0”;与半导体存储器相同，是用电检测由磁化状况改变发作的电阻值之差进行信息读出的一种新式磁存储器。MRAM潜在的重要优 点对错易失性，抗辐射能力强、寿命长。这些是DRAM、SRAM等半导体存储器所不具备的功能。一起，它又兼有后者具有的大容量、高速存取、低本钱、高集 成度等特色。因而，MRAM不只被军事和宇航业界所垂青，并且在敏捷遍及的数码照相、移动电话及多媒体信息处理等宽广的民用商场中得到使用。正因为如此， 美、日、欧等兴旺国家和地区及高新技能产业界都十分重视这项新技能，正投巨资加速产品的商业化
03视点、方位传感器
用于数控机床，轿车测速，非触摸开关，旋转编码器等范畴。具有功耗小，可靠性高，体积小，价格便宜和更强的输出信号等长处。
04根据GMR传感器阵列的生物检测
GMR传感器比电子传感器更活络、可重复性强，具有更宽的作业温度、作业电压和抗机械冲击、轰动的优异功能，并且GMR传感器的作业点也不会随 时间推移而发作偏移。GMR传感器的制备本钱和检测本钱低，对样本的需求量很小。由GRM传感器组成的阵列，还能够结合现有的IC工艺，进步全体设备的集 成度，进行多目标的检测，一起，比照传统的荧光检测法，磁性符号没有很强的环境噪声，符号自身不会逐步衰退，也不需求贵重的光学扫描设备以及专业的操作人 员。
05巨磁阻传感器使用于军事范畴
GMR传感器芯片在军事装备上也有广泛的使用，比方：超微磁场勘探器，地磁场勘探传感器，航天磁场方位传感器。
