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全桥驱动器UBA2030T及其使用

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全桥驱动器UBA2030T及其应用
1前言
飞利浦公司利用“BCD750功率逻辑工艺方法”制造的UBA2030T,是为驱动全桥拓扑结构中的

全桥驱动器UBA2030T及其运用

1前语

飞利浦公司运用“BCD750功率逻辑工艺办法”制作的UBA2030T,是为驱动全桥拓扑结构中的功率MOSFET而专门规划的高压IC。UBA2030T只需用很少数的外部元件,即可组成高强度放电(HID)灯电子镇流器电路,而且为HID灯驱动电路的规划供给了解决方案。

2封装、内部结构及引脚功用

UBA2030T选用24脚SO封装,顶视图如图1所示。

UBA2030T芯片集成了自举二极管、振动器、高压和低压电平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驱动器及操控逻辑等电路,其内部结构框图如图2所示。

表1列出了UBA2030T的引脚功用。

2主要参数及特色

2.1主要参数

UBA2030T的主要参数及参阅数据如表2所列。

2.2主要特色


图1SO24封装顶视图

UBA2030T的主要特色如下:

内置自举二极管,用作驱动全桥电路可使外部元件削减到最低极限;

高压输入直达570V,为驱动内部电路和全桥


图2UBA2030T的内部结构框图

表1引脚功用

脚号
符号
功用描绘

1
GLR
低端右边MOSFET的栅极驱动器输出

2
PGND
低端左、右MOSFET的源极功率地

3
GLL
低端左面MOSFET的栅极驱动器输出

4,6,9,16,17,19
n.c.
不衔接

5
RC
内部振动器RC输入

7
BE
操控输入使能

8
BER
桥路参阅输入使能

10
FSL
浮置电源电压左面输出

11
GHL
高端左面MOSFET栅极驱动器输出

12
SHL
高端左面MOSFET源极

13
SHR
高端右边MOSFET源极

14
GHR
高端右边MOSFET栅极驱动器输出

15
FSR
浮置电源电压右边输出

18
HV
高压电源输入

20
EXO
外部振动器输入

21
SD
封闭输入

22
DTC
死区时刻操控输入

23
VDD
内部(低压)电源

24
SGND
信号地

表2主要参数及参阅数据

符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位

高压

VHV
高压电源(电压)
 
0

570
V

发动(经脚HV施加)

Istrtu
发动电流
 

0.7
1.0
mA

Vth(osc,strt)
发动振动门限电压
在fbridge=500Hz下,无载
14.0
15.5
17.0
V

Vth(osc,strt)
中止振动门限电压
在fbridge=500Hz下,无载
11.5
13.0
14.5
V

输出驱动器

Io(source)
输出源电流
VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V
140
190
240
mA

Io(sink)
输出灌电流
VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V
200
260
320
mA

内部振动器

fbridge
桥路振动器频率
EXQ脚衔接到SGND
50

50000
Hz

外部振动器

fosc(ext)
外部振动器频率
RC脚衔接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2
100

100000
Hz

死区时刻

tdead
死区时刻操控规模(外部可调)
 
0.4

4
μs

桥路使能

IIH
高电平输入电流
使能激活
100

700
μA

IIL
低电平输入电流
使能堵塞
0

20
μA

封闭

VIH
高电平输入电压
封闭激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms
4.5

VDD?
V

VIL
低电平输入电压
封闭堵塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms
0

0.5
V

II(SD)
输入电流
 
0

50
μA

?VDD规模:0V~18V

中的MOSFET,IC供给自己发生的低电源电压;

运用在DTC脚和SGND脚之间衔接的电阻器RDT来设定死区时刻tdead,而且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的单位为kΩ时,tdead的单位为μs);

振动器频率可调,当运用内部振动器时,桥路(bridge)频率可运用外部电阻器ROSC和电容器COSC设定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;

内置PMOS高压移相器,以操控桥路使能功用;

具有封闭功用,只要在SD脚上的输入到达4.5V,全桥中的4只MOSFET则被关断。

3运用介绍

UBA2030T典型运用主要是在高压的(HPS)灯和金属卤灯这类HID灯电子镇流器电路中作为全桥驱动器。

3.1根本运用电路

用UBA2030T作驱动器和HID灯为负载的全桥根本拓扑结构如图3所示。在这个运用电路中,


图3UBA2030T作驱动器、HID灯为负载的全桥根本电路


图4带外部操控电路的HID灯全桥拓扑结构


图5操控电路以桥路高端作参阅的HID灯驱动器电路


图6用低压DC电源为内部电路

供给电流的HID灯全桥驱动器电路

BER脚、BE脚、EXO脚和SD脚都接体系地,没有运用桥路使能和封闭功用。当运用内部振动器时,桥路换向频率由ROSC和COSC的取值决议。当HV施加电压超越振动触发门限(典型值是15.5V)时,振动器开端振动。如果在HV脚上的电压降至振动器中止门限(典型值是13V)电压,IC将从头进入发动状况。

一旦IC开端正常作业,在功率开关HL(Q1)和LR(Q4)导通时,HR(Q3)和LL(Q2)则截止;当HR(Q3)和LL(Q2)导通时,HL(Q1)和LR(Q4)则截止。UBA2030T供给的换向逻辑,确保了在HID灯中能发生交变电流。

  HID灯的发动需求施加一个3kV~10kV的高压脉冲。由带负阻特性的触发元件、电容器和升压线圈等组成的点火器电路,在通电之后能发生满足使HID灯击穿的高电压,使灯点燃。为避免HID灯呈现“声共振”现象,导致电弧不稳,烧坏灯管,关于HID灯驱动电路,往往还要采纳“声共振”按捺办法。

3.2带外部振动器操控的运用电路

图4示出的是带外部振动器操控电路的HID灯全桥拓扑结构。在该运用电路中,UBA2030T的RC脚、BER脚和BE脚衔接体系地,桥路换向频率由外部振动器决议,封闭输入脚(SD脚)能够用作关断全桥电路中的悉数MOSFET。

3.3操控电路以桥路高端作参阅的HID灯全桥驱动器电路

UBA2030T在驱动HID灯全桥体系中作为换向器元件运用。HID灯的运用寿命依赖于经过石英壁的钠搬迁量。为使钠搬迁比率减至最小,HID灯以体系地为参阅时,必须在负压下作业。图5示出的是操控单元以桥路高端作参阅的HID灯全桥驱动器电路。在该运用电路中,BER脚和HV脚都衔接到体系地。

图6所示的以桥路高端作为参阅的又一种HID灯全桥驱动电路。BER脚衔接体系地,经过HV脚流入IC内部低压电路的电流能够由低压DC电源(如电池)供给,如图6中虚线所示。RDT的数值在50kΩ与1000kΩ之间。当RDT=220KΩ时,死区时刻tdead是1μs.

在任何运用中,在IC脚HV上的电压不能低于在VDD脚上的电压。不然,不论是在发动状况仍是进入正常作业期间,全桥都不会正确作业。在发动阶段,IC的EXO脚和SD脚都应处于低电平。在EXO脚和SD脚的电压为时刻函数时,其改变速率应大于5V/ms。

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