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功率电源中器材的温升与极限工作温度

熟悉电子电路设计的朋友一定都知道,在电源整体设计中存在一些发热非常严重的器件,如整流桥、MOS管、快恢复二极管这些器件。而在功率电源中,电感和高

了解电子电路规划的朋友一定都知道,在电源全体规划中存在一些发热十分严峻的器材,如整流桥、MOS管、快康复二极管这些器材。而在功率电源中,电感和高频变压器则成为了发热现象的重灾区。那么在功率电源中,它们的合理温升应该是多少,在恶劣条件下的极限温升又该是多少呢?

一般来说,电管、变压器类器材温度都控制在120℃左右。半导体结温控制在0.8,详细的能够参阅《GJB/Z35-93元器材降额原则》。

在实际操作中,在室温35℃环境下半导体器材热平衡后,其最高温度不超越80°;磁性器材最高温度不超越90℃。当然“最高温度”测验办法因人而异,该状况运用的是FLUKE标价5K的一个二维热成像仪。

其实实际上,关于元器材温度的要求,不能用一个抽象的规范来悉数归纳。许多人在实际操作中发现低频整流桥作业在100℃左右的环境也是没有问题的。其他的功率半导体,则需求看是金属封装仍是塑封的,150℃作业温度或许塑封的在最恶劣的状况下,最高温度控制在100℃以内都是没有有问题的。而175℃作业温度或许金属封装的,在最恶劣的状况下,最高温度控制在120℃以内,应该还算是安全的。

需求特别留意的是,那种“轴线”封装的二极管,特别是肖特基二极管,包含部分TO252封装的肖特基二极管,最高温度控制在100℃显然是不行的。换句话说,降额起伏还应该与封装体积挂钩。封装越大,电压、电流、温度的降额起伏能够越小。

假如关于温度的问题我们仍是觉得没有靠谱的说法,那么能够从公式核算的视点来试着剖析。首先要考虑的是最恶劣状况下的温度,如最高温度下满载作业,整流桥、MOSFET、快康复二极管外表温度不要超越110~115℃,或依据经历公式预算结温:Tj=Tc+P*Rthjc(P为MOSFET的功耗,Rthjc为MOSFET结到壳的热阻),结温预算出来比照功率器材规格书最大结温,比照是否满意降额要求即可,电感假如是磁环做的,磁芯和外表不要超越120℃,假如是用EE类的,磁芯线苞温度测内部温度,内部磁芯和线包苞不要超越140℃,有时候带电扇的模块,测外表线苞有时候很凉爽,其实内部或许温度十分高,已无法满意安规要求,留意线、胶带、挡墙等资料的温度等级挑选。

本文从实际操作的视点动身,为我们解说功率电源器材的发热状况以及极限作业温度。并在最终经过公式核算的方法,用愈加赋有理论性的方法为我们供给了一种温度常识的参阅。正在被器材作业温度困扰的朋友无妨花上几分钟来阅览本文,信任会有意想不到的收成。

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