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瑞萨电子推出5款面向网络设备的存储器产品

瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb(Mbit)低时延 DRAM,品名分别为μPD48576109、μPD

瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)于2011年1月18日正式宣告推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb(Mbit)低时延 DRAM,品名分别为μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新产品将于即日起供给样品。

与公司原有288Mb 低时延DRAM“μPD48288236”产品比较,新产品最大的特点是其存储容量提升至原有产品的2倍,完成了大容量化。此外,其高速数据读写随机周期功能进步了25%,最大作业频率进步了33%,而功耗却比原有产品下降了10%。

因为新产品的单位存储器容量功耗低,比公司原有产品大幅度节省了动力,因而更便于解决网络设备规划上的散热问题。

现在新产品样片价格为5,000日元。瑞萨电子方案于2011年下半年起完成该产品的批量生产,估计到2012年该5种产品的年产量将共到达200万颗以上。

跟着宽带网络的遍及和云核算的推行,使用网络来进行大容量数据交换的方法越来越遍及,这导致了网络流量的急剧增加。为了使流量处理更顺利,一起下降功耗完成节能环保,交换机及路由器等网络设备需求内置更大容量、更高速、更低功耗的存储器。

瑞萨电子此次推出的新产品,正是为了满意网络设备的上述需求。新产品具体优势如下:

(1)完成了大容量、高速及低功耗

新产品充分使用了瑞萨电子在高速存储器范畴长时间堆集的高速活络放大器和低功耗存储器开发经历与技能,选用了操作时将发动的存储器阵列保持在最小限度的操控方法,这使其与公司原有产品比较完成了数据读写的进一步高速化与功耗的大幅下降。新产品的存储容量为576Mb,是公司原有产品288Mb的2 倍;一起,其高速数据读写随机周期功能也进步了25%,从20ns缩短到15ns;此外,尽管最高操作频率从原有的400MHz进步了33%到达 533MHz,其功耗却比原有产品下降了10%以上。

(2)选用与原有产品相同尺度的封装,有利于用户缩短开发周期

尽管存储器容量扩展了一倍,新产品却仍选用与原有产品相同的11mm×18.5mm封装尺度,该封装尺度具有很多使用实绩,其高可靠性已得到商场遍及认可。别的,新产品在印刷电路板的规划上没有大的改变。经过存储器的大容量化和高速化,本次的新产品不只可使体系全体功能得到进步,还能使可靠性与电特性上的危险得到下降。

现在瑞萨电子是全球仅有能面向网络设备范畴供给QDR SRAM,低时延 DRAM,TCAM(Ternary Content Addressable Memory)等存储器产品的制造厂商。此前,瑞萨电子已推出了从18Mb到72Mb的QDR SRAM、TCAM、288Mb及1.1Gb(Giga bit)低时延 DRAM等产品。此次,瑞萨电子又经过推出576Mb 低时延 DRAM等系列新产品,进一步扩展了其面向网络设备存储器的产品阵型。

为了应对交换机、路由器等网络设备在高功能化与节能省电方面日益增加的需求,此次的新产品定位为高功能和低功耗产品,方案在全球范围内推行出售。往后,瑞萨电子将以成为全球产品阵型最丰厚最完全的厂商为方针,不断开发使用于尖端技能的网络设备存储器产品,扩展公司在网络存储器范畴的商场份额,力求将2009年度全球No.1的40%扩展到2012年度的60%。

新产品的首要标准

μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236的标准

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