现在的科技开展一日千里，半导体器材技能也在飞速开展着。各种全控型器材的应运而生加快了开关电源技能的开展，不对称半桥变换器技能逐步浮上水面。这种技能结构简略，而且只运用少数的元器材，可以说是集各种长处于一身。本文介绍了几种常用的不对称半桥MOSFET驱动电路，剖析了各电路的长处和适用场合。
几种不对称半桥驱动电路介绍及剖析
非阻隔的不对称半桥驱动电路
图1为常用的小功率驱动电路，简略牢靠本钱低，适用于不要求阻隔的小功率开关设备。其间一路直接接到下管，别的一路经反向器反向后驱动上管。RP1，RP2用于调度死区时刻。
正激式不对称半桥阻隔驱动电路
一种正激式不对称半桥阻隔驱动电路，如图2所示。
以正向电路为例，脉冲信号通过高频脉冲变压器耦合去驱动功率MOSFET管，次级脉冲电压为正时，MOSFET导通，在此期间VT3截止，由其构成的泄放电路不作业。当次级脉冲电压为零时，则VT3导通，快速泄放MOSFET栅极电荷，加快MOSFET的截止。R7是用于按捺驱动脉冲的尖峰，R9，VD3，R11，VD5，R13可以加快驱动并避免驱动脉冲发生振动。和与它相连的脉冲变压器绕组一起构成去磁电路。
该电路完成了阻隔，且能输出较好的驱动波形。可是也存在一些不足之处：
1、结构杂乱，需求双电源供电(±12V);
2、元器材较多，特别是需求两个阻隔变压器，不只占用较大空间，而且添加电路本钱;专用芯片驱动电路
ST公司的L6384是专门的不对称半桥驱动芯片，其原理图及外围电路如图3所示。单脉冲从1脚(IN)输入，5脚(HVG)和7脚(LVG)输出互补的脉冲。3脚(DT/ST)外接电阻和电容来操控两路输出的死区时刻。当3脚的电平低于0.5V的时分，芯片停止作业。专用芯片具有外围电路简略、占用空间小的特色，但由于其本钱较高，不适用于低本钱规划的产品。
新式的不对称半桥阻隔驱动电路
依据以上几种驱动电路，针对传统阻隔驱动电路结构杂乱、占用空间大、驱动电路运用的局限性等问题，提出了一种新式的不对称半桥阻隔驱动电路，适用于单脉冲输出的芯片，具有结构简略牢靠，占用空间小等特色，而且完成了电气阻隔，可以运用于中大功率场合。
驱动电路如图4所示，作业频率由磁芯的特性决议，一般运用高频磁芯，作业频率可达100kHZ。原边VT1，VT2构成的推挽式功放电路。脉冲输出高电平时，VT1导通，供给MOS管驱动功率;低电平时，VT2导通，%&&&&&%上的储能供给反向脉冲。变压器副边输出的两路波形经调度电路后变成互补的脉冲信号，然后驱动MOSFET。驱动脉冲为正时，MOSFET导通，在此期间VT1，VT2截止，由其构成的泄放电路不作业。当次级脉冲电压为零时，则VT1，VT2导通，快速泄放MOSFET栅极电荷，加快MOSFET的截止。稳压管VD1，VD2对脉冲波形正向进行削波。
在SABER仿真下，该变压器副边N2，N3以及上、下管的驱动波形别离如图5(a)、(b)所示。
该电路具有以下长处：
1、电路结构较简略牢靠，具有电气阻隔效果。占空比固守时，通过合理的参数规划，此驱动电路具有较快的开关速度。
2、该电路只需一个电源，即为单电源作业。试验和定论
本文规划了一台不对称半桥变换器样机：作业频率为98kHz，输入电压为400VDC，输出电压为30VDC。测得占空比为0.47时的驱动波形Ug1，Ug1如图(6)所示。
通过本文的验证，这种新式的不对称半桥阻隔驱动电路结构不只简略，而且满意的完成了与MOS管的的互补驱动，而且这种驱动具有很好稳定性，足以成为一款高性能的驱动电路。期望我们可以充沛了解这种全新的驱动电路，并将之充沛利用。
