硅和锗两种二极管的特性曲线差异
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。
2）在正向电压很小时，经过二极管的电流很小，只要正向电压到达某一数值Ur后，电流才显着增加。一般把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。因为硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。
