薄膜太阳能电池概略
薄膜电池望文生义便是将一层薄膜制备成太阳能电池，其用硅量很少，更简单降低本钱，一起它既是一种高效动力产品，又是一种新式修建资料，更简单与修建完美结合。在世界商场硅原资料继续严重的布景下，薄膜太阳电池已成为世界光伏商场开展的新趋势和新热门。
模块结构
薄膜太阳能模块是由玻璃基板、金属层、通明导电层、电器功用盒、胶合资料、半导体层等所构成的。
品种
非晶硅（Amorphous Silicon， a-Si）、微晶硅（Nanocrystalline Silicon，nc-Si，Microcrystalline Silicon，mc-Si）、化合物半导体II-IV 族［CdS、CdTe（碲化镉）、CuInSe2］、色素敏化染料（Dye-SensiTIzed Solar Cell）、有机导电高分子（Organic/polymer solar cells） 、CIGS （铜铟硒化物）。。等
薄膜太阳能电池结构及原理剖析
光伏发电便是运用半导体技能，直接将太阳光转化为电能。太阳能是一种清洁、高效的可再生动力，能广泛使用于家庭发电体系和大型商业光伏项目等许多范畴。
晶体硅是太阳能电池大规模出产中最常用的原资料，一般包含单晶硅和多晶硅。现在晶体硅太阳能电池约占整个太阳能商场90%左右的商场份额。
在各类薄膜太阳能电池中，估计能完成规模化出产的是硅基薄膜，CIS和CdTe，其间CIS薄膜太阳能电池制作过程中由于要用到稀有金属硒，使得大规模的出产的本钱比较高，并且CIS的出产工艺十分复杂，给大规模出产也造成了必定的困难，所以现在机遇还未彻底老练。至于CdTe薄膜太阳能电池，由于其原资料中的“镉”被证实是一种致癌物质，所以与太阳能电池的绿色动力特性有少许抵触，别的其原资料中的“碲”，价格也比较贵。所以比较来说，硅基薄膜电池更适合大规模化出产。
光电池的作业原理及其特性
光电池的作业原理
在一块N形硅片表面，用分散的办法掺入一些P型杂质，构成PN结，光这便是一块硅光电池。当照射在PN上时，如光子能量hv大于硅的禁带宽度E时，则价带中的电子跃迁到导带，发生电子空穴对。由于PN结阻挡层的电场方向指向P区，所以，任阻挡层电场的效果下，被光激起的电子移向N区外侧，被光激起的空穴移向P区外侧，然后在硅光电池与PN结平行的两表面而构成电势差，P区带正电，为光电池的正极，N区带负电，为光电池的负极。照在PN结上的光强添加，就有更多的空穴流向P区，更多的电子流向N区，然后硅光电池两外侧的电势差添加。如上所述，在光的效果下，发生必定方向必定巨细的电动势的现象，叫作光生伏特效应。
硅光电池特性
1.2.1 光照特性
不同强度的光照射在光电池上，光电池有不同的短路电流Isc和开路电在Voc，如图1所示。由图1可知短路电流Isc—光强Ev特性是一条直线，即短路电流在很宽的光强规模内，与光强成线性关系，而开路电压对错线性的，并且，在当光强较小，约20mW／cm2时，短路电压就趋于饱满。因而，要想用光电池来丈量或操控光的强弱，应当用光电池的短路电流特性。
1.2.2 硅光电池的光谱特性
如图是硅光电池、硒光电池的光谱特性曲线。清楚明了，不同的光电池，光谱曲线峰值的方位不同，例如硅光电池峰值波长在0.8μm左右，硒光电池在0.54μm左右。硅光电池的光谱规模宽，在0.45～1.1μm之间，硒光电池的光谱规模在0.34～0.75μm之间，只对可见光灵敏。
值得注意的是，光电池的光谱曲线形状，复盖规模，不只与光电池的资料有关，还与制作工艺有关，并且还跟着环境温度的改变而改变。
1.2.3 光电池的温度特性
光电池的温度特性如图3所示。由图可知，开路电压随温度的升高而快速下降，短流电流随温度升高而慢慢添加。所以，用光电池作传感器制作的丈量仪器，即便选用Isc—Ev特性，在被测参量稳定不变时，仪器的读数也会随环境温度的改变而漂移，所以，仪器有必要选用相应的温度补偿办法。;
硅光电池的结构及作业原理
硅光电池是一种能将光能直接转换成电能的半导体器材，其结构图所示。它实质上是一个大面积的半导体PN结。硅光电池的基体资料为一薄片P型单晶硅，其厚度在0.44mm以下，在它的表面上运用热分散法生成一层N型受光层，基体和受光层的交接处构成PN结。在N型层受光层上制作有栅状负电极，别的在受光面上还均匀掩盖有抗反射膜，它是一层很薄的天蓝色一氧化硅膜，能够使电池对有用入射光的吸收率到达90%以上，并使硅光电池的短路电流添加25%-30%.
以硅资料为基体的硅光电池，能够运用单晶硅、多晶硅、非晶硅来制作。单晶硅光电池是现在使用最广的一种，它有2CR和2DR两品种型，其间2CR型硅光电池选用N型单晶硅制作，2DR型硅光电池则选用P型单晶硅制作。
硅光电池的作业原理是光生伏特效应。当光照射在硅光电池的PN结区时，会在半导体中激起出光生电子空穴对.PN结两头的光生电子空穴对，在内电场的效果下，归于大都载流子的不能穿越阻挡层，而少量载流子却能穿越阻挡层。成果，P区的光生电子进入N区，N区的光生空穴进入P区，使每个区中的光生电子一空穴对分割开来。光生电子在N区的集结使N区带负电，光生电子在P区的集结使P区带正电.P区和N区之间发生光生电动势。当硅光电池接入负载后，光电流从P区经负载流至N区，负载中即得到功率输出。
