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一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么区别

本文主要介绍的是ARM里的RAM和SDRAM有什么区别,首先介绍了RAM的类别及特点,其次对SDRAM做了详细阐述,最后介绍了RAM和SDRAM的区别是什么。RAM介绍Random-Acc

  本文首要介绍的是ARM里的RAM和SDRAM有什么差异,首要介绍了RAM的类别及特色,其次对SDRAM做了具体论述,最终介绍了RAM和SDRAM的差异是什么。

  RAM介绍

  Random-Access Memory(随机存取存储器),在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,便是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,关于计算机来说,有了存储器,才有回忆功用,才干确保正常作业。存储器的品种许多,按其用处可分为主存储器和辅佐存储器[或许内存储器和外存储器],主存储器简称内存,内存在电脑中起着无足轻重的效果,一般选用半导体存储单元。由于RAM是内存其间最重要的存储器,所以一般咱们直接称之为内存。内存便是存储程序以及数据的当地,比方当咱们在运用WPS处理文稿时,当你在键盘上敲入字符时,它就被存入内存中,当你挑选存盘时,内存中的数据才会被存入硬(磁)盘。

  RAM便是既能够从中读取数据,也能够写入数据。当机器电源封闭时,存于其间的数据就会丢掉。咱们一般购买或晋级的内存条便是用作电脑的内存,内存条(SIMM)便是将RAM集成块会集在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上,以削减RAM集成块占用的空间。现在市场上常见的内存条有 128M/条、256M/条、512M/条等。

 

  RAM的类别

  依据存储单元的作业原理不同, RAM分为静态RAM和动态RAM。

  静态随机存储器(SRAM)

  静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因而,它是靠触发器的自保功用存储数据的。

  动态随机存储器(DRAM)

  动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元使用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不或许肯定等于0,所以电荷保存的时刻有限。为了防止存储信息的丢掉,有必要守时地给电容补偿漏掉的电荷。一般把这种操作称为“改写”或“再生”,因而DRAM内部要有改写操控电路,其操作也比静态RAM杂乱。尽管如此,由于DRAM存储单元的结构能做得十分简略,所用元件少,功耗低,已成为大容量RAM的干流产品。

  RAM的特色

  1、随机存取

  所谓“随机存取”,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需求的时刻与这段信息地点的方位或所写入的方位无关。相对的,读取或写入次序拜访(SequenTIal Access)存储设备中的信息时,其所需求的时刻与方位就会有联系。它首要用来寄存操作系统、各种应用程序、数据等。

  2、易失性

  当电源封闭时RAM不能保存数据。假如需求保存数据,就有必要把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。RAM和ROM比较,两者的最大差异是RAM在断电今后保存在上面的数据会主动消失,而ROM不会主动消失,能够长时刻断电保存。

  3、对静电灵敏

  正如其他精密的集成电路,随机存取存储器对环境的静电荷十分灵敏。静电会搅扰存储器内电容器的电荷,引致数据丢掉,乃至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前,应先用手接触金属接地。

  4、拜访速度

  现代的随机存取存储器几乎是一切拜访设备中写入和读取速度最快的,存取推迟和其他触及机械运作的存储设备比较,也显得微乎其微。

  5、需求改写(再生)

  现代的随机存取存储器依托电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的景象,若不作特别处理,数据会逐渐随时刻丢掉。改写是指定时读取电容器的状况,然后依照本来的状况从头为电容器充电,补偿丢掉了的电荷。需求改写正好解说了随机存取存储器的易失性。

  SDRAM介绍

  SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory作业需求步时钟,内部的指令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需求不断的改写来确保数据不丢掉;随机是指数据不是线性顺次存储,而是由指定地址进行数据读写。现在的168线64bit带宽内存基本上都选用SDRAM芯片,作业电压3.3V电压,存取速度高达7.5ns,而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率操控,使RAM与CPU外频同步,撤销等候时刻,所以其传输速率比EDO DRAM更快。

  SDRAM从开展到现在现已阅历了四代,分别是:榜首代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM.

  榜首代与第二代SDRAM均选用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于作业频率比较快,所以选用可下降搅扰的差分时钟信号作为同步时钟。

  SDR SDRAM的时钟频率便是数据存储的频率,榜首代内存用时钟频率命名,如pc100,pc133则标明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz。

  之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)内存则选用数据读写速率作为命名规范,而且在前面加上表明其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其作业频率是333/2=166MHz,2700表明带宽为2.7G。

  DDR的读写频率从DDR200到DDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。

  许多人将SDRAM过错的理解为榜首代也便是 SDR SDRAM,而且作为名词解说,皆属误导,SDR不等于SDRAM。

  Pin:模组或芯片与外部电路电路衔接用的金属引脚,而模组的pin便是常说的“金手指”。

  SIMM:Sigle In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组便是咱们常说的内存条,所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只要一列引脚(尽管两边都有金手指)。

  DIMM:Double In-line Memory Module,双列内存模组。是咱们常见的模组类型,所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚,模组电路板两边的金手指对应一列引脚。

  RDIMM:registered DIMM,带寄存器的双线内存模块

  SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。

  作业电压:

  SDR:3.3V

  DDR:2.5V

  DDR2:1.8V

  DDR3:1.5V

  ARM里的RAM和SDRAM有什么差异

  RAM包含SRAM和DRAM,前者是静态随机存储器,首要是依托触发器存储数据,无需改写,而后者是动态随机存储器,依托MOSFET中栅电容存储数据,需不断改写以补偿开释的电荷。由于单管就能够完成数据存储,集成度能够做到更高,功耗也更低,更为干流。需求留意的是由于改写牵涉电容的充放电进程,DRAM的存取速度不及SRAM。

  至于SDRAM,为同步动态随机存储器,归于DRAM的一种,其作业进程需求同步时钟的合作,因而能够不考虑道路延时不同的影响,防止不定态。一般的DRAM归于异步传输,存取数据时,有必要等候若干个时钟今后才进行操作(考虑不定态),由于会花费较多的时刻,影响了数据的传输速率。跟着时钟频率的不断增高,这个瓶颈的约束就会越来越显着,SDRAM的优势也就更能表现出来。

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