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ADG5421闩锁效应抑制和高ESD开关和多路利用器参数介绍及中文PDF下载

ADG5421相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADG5421供应信息可在查IC网搜索

ADG5421相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,ADG5421供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

ADG5421是一款单芯片工业用CMOS模仿开关,内置两个独立的防闩锁单刀单掷(SPST)开关。 接通时,各开关在两个方向的导电功能相同,输入信号规模可扩展至电源电压规模。 在断开条件下,到达电源电压的信号电平被阻挠。 在逻辑1输入情况下,ADG5421两个开关都接通。

这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平整度,关于低失真功能至关重要的数据收集和增益切换的使用可谓抱负解决计划。 防闩锁结构以及高ESD额定值使这些开关在恶劣环境下具有更佳的稳定性。

产品特征

  1. 沟道阻隔可防止闩锁。 电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分隔,确保即便在严峻过压情况下,也不会发作闩锁现象。
  2. 低导通电阻RON
  3. 双电源供电。 关于双极性模仿信号使用,ADG5421能够选用高达±22 V的双电源供电。
  4. 单电源供电。 关于单极性模仿信号使用,ADG5421能够选用高达40 V的单轨电源供电。
  5. 3 V逻辑兼容数字输入: VINH = 2.0 V,VINL = 0.8 V。
  6. 无需VL逻辑电源。
  7. 供给10引脚MSOP封装。

使用

  • 高压信号路由
  • 自动测试设备
  • 模仿前端电路
  • 精细数据收集体系
  • 工业仪器仪表
  • 放大器增益挑选
  • 继电器代替计划

优势和特色

  • 一切条件下都具有防闩锁特性
  • 人体模型(HBM)ESD 额定值: 8 kV
  • 低导通电阻:13.5 Ω
  • ±9 V至±22 V双电源供电
  • 9 V至40 V单电源供电

ADG5421电路图

ADG5421

ADG5421中文PDF下载地址

ADG5421下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG5421_5423.pdf

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